[发明专利]晶圆电镀装置

说明书

技术领域

本发明涉及晶圆制造领域，特别涉及一种晶圆电镀装置。

背景技术

晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆上电镀一层导电金属，并对导电金属层进行加工以制成导电线路。传统的晶圆电镀设备，多采用手工将晶圆放入电镀槽内，电镀设备自动化程度低，生产效率低，稳定性差，晶圆的电镀品质差、良品率低。且现有的电镀设备多为垂直电镀设备，垂直电镀的电镀液压力较小、电镀速度慢、均匀性差。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种可对晶圆进行电镀处理的晶圆电镀装置。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：

晶圆电镀装置，其特征在于，包括：

电镀槽；所述电镀槽设有容腔；所述容腔用于存放电镀液；

槽盖；所述槽盖盖住所述容腔且可相对所述电镀槽移动；所述槽盖移动后打开所述容腔；

晶圆输送装置；所述晶圆输送装置位于所述电镀槽的一侧，用于将晶圆输送至所述容腔内；

第一驱动装置和第二驱动装置两者之一或两者；所述第一驱动装置驱动晶圆做升降运动或通过第一传动装置驱动晶圆做升降运动；所述第一驱动装置为第一伺服电机、第一步进电机或第一气缸；

第二驱动装置；所述第二驱动装置驱动晶圆水平移动或通过第二传动装置驱动晶圆水平移动；所述第二驱动装置为第二伺服电机、第二步进电机或第二气缸。

优选地是，所述第一传动装置为第一丝杠螺母；所述第一丝杠螺母包括螺纹配合的第一丝杆和第一螺母；所述第一丝杆和所述第一螺母中的其中一个受所述第一驱动装置驱动旋转，另一个与晶圆连接带动晶圆做升降运动。

优选地是，还包括第一支架；所述第一支架设置在所述电镀槽的一侧；所述第一丝杆可转动地设置在所述第一支架上，受所述第一驱动装置驱动转动；所述第一螺母与晶圆连接。

优选地是，所述第二传动装置为第二丝杠螺母；所述第二丝杠螺母包括螺纹配合的第二丝杆和第二螺母；所述第二丝杆和所述第二螺母中的其中之一受所述第二驱动装置驱动转动，另一个与晶圆连接带动晶圆水平移动。

优选地是，还包括底座；所述电镀槽安装在所述底座上；所述第二丝杆可转动地设置在所述底座上，受所述第二驱动装置驱动转动；所述第二螺母与所述第一支架连接带动晶圆水平移动。

优选地是，还包括晶圆支撑装置；所述晶圆支撑装置设置在所述电镀槽的一侧，用于将晶圆支撑于所述电镀槽的上方；所述晶圆支撑装置包括至少两个支撑臂；所述至少两个支撑臂沿圆周方向均匀分布；所述支撑臂具有沿支撑面；所述至少两个支撑臂上的支撑面处于同一高度；所述至少两个支撑臂可相对移动地设置；还包括第三驱动装置；所述第三驱动装置驱动所述支撑臂移动或通过第三传动装置驱动所述支撑臂移动；所述第三驱动装置为第三伺服电机、第三部步进电机或第三气缸；所述第三气缸的活塞杆与所述支撑臂连接。

优选地是，所述支撑臂设有凸块；所述凸块设置在所述支撑面上并凸出所述支撑面。更优选地是，所述凸块具有弧面，弧面与晶圆边缘相对，可防止撞伤晶圆。

优选地是，所述晶圆支撑装置包括三个所述支撑臂。

优选地是，所述容腔内设有支撑台；所述支撑台设置在所述容腔的侧壁上，并凸出容腔的侧壁；所述晶圆支撑台可将晶圆水平支撑于所述容腔内；所述槽盖可将晶圆抵靠在所述支撑台上。

优选地是，所述晶圆输送装置包括真空吸盘和横梁；所述横梁一端与所述第一螺母连接，另一端与所述真空吸盘连接；所述第一螺母通过所述横梁带动所述真空吸盘做升降运动；所述横梁和所述真空吸盘之间设有第一弹性装置；所述真空吸盘与放置在所述晶圆支撑装置上的晶圆接触时，或是所述真空吸盘带动晶圆抵靠所述支撑台时，所述第一弹性装置压缩变形。

优选地是，所述第一弹性装置为第一压缩弹簧；所述横梁上设有第一套筒；所述真空吸盘上设有第二套筒；所述第一套筒套设在所述第二套筒上；所述第一套筒和所述第二套筒可相对移动；所述第一套筒的上端设有第一挡片，用于限制所述第二套筒相对所述第一套筒向上移动的行程；所述第一套筒的内壁上设有第一台阶；所述第二套筒上设有第一凸缘；所述第一凸缘位于所述第一套筒内，所述第一台阶用于限制所述第一凸缘相对所述第一套筒向下移动的行程；所述第一压缩弹簧置于所述第二套筒内，上端抵靠所述第一挡片，下端抵靠所述第二套筒的内壁。