[发明专利]分栅式闪存及其制作方法

权利要求书

1.一种分栅式闪存，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中具有间隔设置的源线和位线；

字线，设置于所述源线和所述位线之间的半导体衬底上；

第一存储位单元，位于所述字线和所述源线之间的半导体衬底上，所述第一存储位单元从下至上依次包括：第一浮栅介质层、第一浮栅、第一控制栅介质层、第一控制栅、第一阻挡层和第一硅化钨层；

第二存储位单元，位于所述字线和所述位线之间的半导体衬底上，所述第二存储位单元从下至上依次包括：第二浮栅介质层、第二浮栅、第二控制栅介质层、第二控制栅、第二阻挡层和第二硅化钨层；

隧穿氧化层，位于所述字线与所述半导体衬底、所述字线与所述第一存储位单元之间以及所述字线与所述第二存储位之间；

三个金属硅化层，分别设置于所述源线上、所述位线上和所述字线上；

五个金属插塞，分别设置于所述第一硅化钨层上、所述第二硅化钨层上以及三个所述金属硅化层上。

2.如权利要求1所述的分栅式闪存，其特征在于，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层为氮化钨。

3.如权利要求1或2所述的分栅式闪存，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度范围包括：100埃～300埃，所述第二阻挡层的厚度范围包括：100埃～300埃。

4.如权利要求1所述的分栅式闪存，其特征在于，所述第一硅化钨的厚度范围包括：500埃～600埃，所述第二硅化钨的厚度范围包括：500埃～600埃。

5.如权利要求1所述的分栅式闪存，其特征在于，所述金属硅化层的材料包括硅化钴、硅化镍、硅化钛和硅化钨中的一种或多种。

6.一种分栅式闪存的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成浮栅介质材料层、浮栅材料层、控制栅介质材料层、控制栅材料层、阻挡材料层和硅化钨材料层；

在所述硅化钨材料层上形成具有开口的硬掩膜层，并在所述开口内形成覆盖所述硬掩膜层侧壁的第一侧墙；

以所述第一侧墙和所述硬掩膜层为掩模，依次刻蚀所述硅化钨材料层、所述阻挡材料层、所述控制栅材料层和所述控制栅介质材料层直至露出所述浮栅材料层的部分上表面，形成第一凹槽；

在所述第一凹槽的侧壁上形成第二侧墙；

以所述硬掩膜层、所述第一侧墙和所述第二侧墙为掩模，依次刻蚀所述浮栅材料层和所述浮栅介质材料层直至露出所述半导体衬底的部分上表面，形成第二凹槽；

在所述第二凹槽的内壁表面形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层上形成填充满所述第二凹槽的字线；

依次去除所述硬掩膜层以及位于所述硬掩膜层下的硅化钨材料层、阻挡材料层、控制栅材料层、控制栅介质材料层、浮栅材料层和浮栅介质材料层，形成位于所述字线两侧的第一存储位单元和第二存储位单元；

在所述第一存储位单元远离所述字线一侧的半导体衬底中进行离子注入以形成源线，并在所述第二存储位单元远离所述字线一侧的半导体衬底中进行离子注入以形成位线；

在所述源线上、所述位线上和所述字线上分别形成金属硅化层；

在所述金属硅化层和剩余的所述硅化钨材料层上分别形成金属插塞。

7.如权利要求6所述的分栅式闪存的制作方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成所述硅化钨材料层。

8.如权利要求6或7所述的分栅式闪存的制作方法，其特征在于，所述硅化钨材料层的厚度范围包括：500埃～600埃。

9.如权利要求6所述的分栅式闪存的制作方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成所述阻挡材料层，所述阻挡材料层为氮化钨，所述阻挡材料层的厚度范围包括：100埃～300埃。

10.如权利要求6所述的分栅式闪存的制作方法，其特征在于，所述金属硅化层的材料包括硅化钴、硅化镍、硅化钛和硅化钨中的一种或多种。