[发明专利]一种全向双圆极化天线

权利要求书

1.一种全向双圆极化天线，其特征在于，包括同轴的天线辐射结构和射频激励结构，所述射频激励结构包括上端射频激励结构和下端射频激励结构，所述上端射频激励结构和下端射频激励结构分别设置于天线辐射结构的上端和下端，进行射频激励；所述上端射频激励结构采用第一SMA馈线接头进行馈电形成左旋圆极化方式SMA射频激励端口，所述下端射频激励结构采用第二SMA馈线接头进行馈电形成右旋圆极化方式的SMA射频激励端口，实现左旋和右旋双圆极化特性；

所述天线辐射结构包括同轴设置的内导体I和外导体I，所述天线辐射结构的外导体的导体壁上开有多组辐射单元，其中，每一组辐射单元均包括四组缝隙对，每一组缝隙对中均包括两个相互垂直的矩形缝隙，每一组辐射单元中的四对矩形缝隙沿天线辐射结构的外导体导体壁的外圆周一圈设置，实现天线的全向辐射；多组辐射单元形成上下排列的辐射阵列。

2.根据权利要求1所述的全向双圆极化天线，其特征在于，所述辐射单元为四组，四组辐射单元形成上下排列的辐射阵列。

3.根据权利要求1所述的全向双圆极化天线，其特征在于，所述射频激励结构采用同轴渐变线结构。

4.根据权利要求3所述的全向双圆极化天线，其特征在于，所述射频激励结构均包括同轴设置的内导体II和外导体II，所述内导体I和外导体I之间以及内导体II和外导体II之间均设有填充介质。

5.根据权利要求4所述的全向双圆极化天线，其特征在于，所述填充介质采用特氟龙，填充介质的介电常数为2.1。

6.根据权利要求4所述的全向双圆极化天线，其特征在于，所述外导体I和外导体II直接连接，且连接位置的直径相同；所述内导体I和内导体II直接连接，且连接位置的直径相同。

7.根据权利要求3所述的全向双圆极化天线，其特征在于，所述内导体I、外导体I、内导体II和外导体II均为金属圆柱结构，且一体构造成型。