[发明专利]一种或非门闪存存储器的制作方法

权利要求书

1.一种或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，包括：

沿第一方向刻蚀半导体衬底，形成有源区和深隔离槽，并在所述深隔离槽内形成隔离氧化层，所述半导体衬底由基底和牺牲层依次层叠而成，所述深隔离槽延伸至所述基底之内；

沿第二方向刻蚀所述半导体衬底和所述隔离氧化层，形成浅隔离槽，所述浅隔离槽露出所述基底，所述浅隔离槽的深度小于所述深隔离槽的深度，所述浅隔离槽内的隔离氧化层上表面高于所述基底上表面；

在所述浅隔离槽内露出的所述基底表面自下而上形成沟道区、隧穿氧化层和浮栅层；

刻蚀隔离氧化层，使得所述隔离氧化层的高度降低；

在所述浅隔离槽内自下而上形成层间介电质层和控制栅层；

将相邻的两个所述浅隔离槽分为一组，刻蚀每组浅隔离槽之间的牺牲层和隔离氧化层，使得所述牺牲层和所述隔离氧化层的高度降低；

刻蚀牺牲层，露出所述基底；

在所述控制栅层和隔离氧化层的侧壁形成侧壁薄膜层；

在所述每组浅隔离槽之间的基底表面形成源极，在每相邻两组浅隔离槽之间的基底表面形成漏极，并在所述源极和所述漏极之上形成第一金属层，分别形成公用源极线和漏极下层接触孔；

刻蚀所述控制栅层，得到高度降低后的控制栅层，在所述高度降低后的控制栅层上依次形成合金层和氮化硅层；

沉积隔离层，在所述漏极下层接触孔之上刻蚀所述隔离层，形成漏极上层接触孔，并在所述漏极上层接触孔之内形成第二金属层。

2.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述牺牲层包括自下而上依次叠加的氧化层和氮化硅层，所述沿第一方向刻蚀半导体衬底，形成有源区和深隔离槽之前，所述方法还包括：

提供硅衬底；

在所述硅衬底之上形成氧化层；

在所述硅衬底内注入P型离子，形成基底；

在所述氧化层之上形成氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述深隔离槽内形成隔离氧化层包括：

在所述深隔离槽内填充隔离氧化层；

利用化学机械研磨工艺，去除多余的隔离氧化层，使得所述隔离氧化层与所述牺牲层的上表面平齐。

4.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述浅隔离槽内露出的所述基底表面自下而上形成沟道区、隧穿氧化层和浮栅层包括：

在所述浅隔离槽内露出的基底表面注入P型离子，形成沟道区；

在所述浅隔离槽内露出的基底之上形成隧穿氧化层；

在所述浅槽之内沉积浮栅层；

利用化学机械研磨工艺，去除多余的浮栅层，使得所述浮栅层与所述牺牲层的上表面平齐；

刻蚀所述浮栅层，露出所述浅隔离槽内的隔离氧化层。

5.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述浅隔离槽内自下而上形成层间介电质层和控制栅层包括：

在所述浅隔离槽和所述深隔离槽内形成层间介电质层；

在所述层间介电质层之上沉积控制栅层；

利用化学机械研磨工艺，去除多余的控制栅层，使得所述控制栅层与所述牺牲层的上表面平齐；

刻蚀所述控制栅层，露出所述深隔离槽内的隔离氧化层。

6.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述控制栅层和隔离氧化层的侧壁形成侧壁薄膜层包括：

在露出的基底表面沉积侧壁薄膜层；

刻蚀所述侧壁薄膜层，保留控制栅层和隔离氧化层侧壁的侧壁薄膜层。

7.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，形成所述源极和所述漏极是通过在露出的基底表面注入N型离子制备而成的。

8.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述源极和所述漏极之上形成第一金属层包括：

沉积第一金属层；

利用化学机械研磨工艺，去除多余的第一金属层，使得所述第一金属层与所述控制栅层的上表面平齐。

9.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述漏极上层接触孔之内制备第二金属层包括：

沉积第二金属层；

利用化学机械研磨工艺，去除多余的第二金属层，使得所述第二金属层与所述隔离层的上表面平齐。

10.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述氧化层、所述隔离氧化层、所述隧穿氧化层、所述层间介电质层、所述侧壁薄膜层和所述隔离层的材料为氧化硅，所述牺牲层的材料为氮化硅，所述浮栅层和所述控制栅层的材料为多晶硅，所述第一金属层和所述第二金属层的材料为钨。