[发明专利]一种或非门闪存存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，包括：

刻蚀半导体衬底，形成有源区和沟道区，所述半导体衬底由基底和牺牲层依次层叠而成，所述沟道区延伸至所述基底内，露出所述基底；

在所述沟道区内露出的所述基底的底部及侧壁形成隧穿栅氧层；

在所述基底底部的隧穿栅氧层之上形成浮栅层，所述浮栅层上表面的高度高于所述基底上表面的高度，且所述浮栅层上表面的高度低于所述牺牲层上表面的高度；

在所述浮栅层之上以及所述浮栅层之上的沟道区侧壁形成层间介电质层；

在所述浮栅层之上的层间介电质层之上形成控制栅层；

刻蚀所述牺牲层及沟道区侧壁的层间介电质层，露出所述基底；

在所述浮栅层两侧露出的所述基底表面分别形成源极和漏极；

所述牺牲层包括自下而上依次层叠的氧化层和氮化硅层，所述刻蚀半导体衬底，形成有源区和沟道区之前，所述方法还包括：

提供硅衬底；

在所述硅衬底之上形成氧化层；

在所述硅衬底内注入P型离子，形成基底；

在所述氧化层之上形成氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述沟道区内露出的所述基底的底部及侧壁形成隧穿栅氧层包括：

在所述沟道区内的基底之上沉积隧穿栅氧层；

刻蚀所述隧穿栅氧层，保留所述基底的底部及侧壁的隧穿栅氧层。

3.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述基底底部的隧穿栅氧层之上形成浮栅层，所述浮栅层上表面的高度高于所述基底上表面的高度，且所述浮栅层上表面的高度低于所述牺牲层上表面的高度包括：

在所述基底底部的隧穿栅氧层之上沉积浮栅层；

刻蚀所述浮栅层，使得浮栅层上表面的高度高于所述基底上表面的高度，且所述浮栅层上表面的高度低于所述牺牲层上表面的高度。

4.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述浮栅层之上以及浮栅层之上的沟道区侧壁形成层间介电质层包括：

在所述浮栅层之上沉积层间介电质层；

刻蚀所述层间介电质层，保留所述浮栅层之上以及浮栅层之上的沟道区侧壁的层间介电质层。

5.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述浮栅层之上的层间介电质层之上形成控制栅层包括：

在所述浮栅层之上的层间介电质层之上沉积控制栅层；

利用化学机械研磨工艺，去除多余的控制栅层，使得所述控制栅层的上表面与所述牺牲层的上表面平齐。

6.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述浮栅层两侧露出的所述基底表面分别形成源极和漏极是利用离子注入工艺在所述基底上表面注入N型离子，在所述浮栅层两侧露出的所述基底表面形成源极和漏极。

7.根据权利要求1-6所述的或非门闪存存储器的制作方法，其特征在于，所述氧化层、所述隧穿栅氧层、所述层间介电质层的材料为氧化硅，所述牺牲层的材料为氮化硅，所述浮栅层和所述控制栅层的材料为多晶硅。

8.一种或非门闪存存储器，所述或非门闪存存储器通过权利要求1-7任一所述的制作方法制作而成，其特征在于，包括：

基底，所述基底内设有沟道区；

隧穿栅氧层，所述隧穿栅氧层位于所述沟道区的底部及侧壁；

浮栅层，所述浮栅层位于所述沟道区底部的隧穿栅氧层之上，所述浮栅层的上表面高于所述基底的上表面；

层间介电质层，所述层间介电质层位于所述浮栅层之上；

控制栅层，所述控制栅层位于所述层间介电质层之上；

源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述浮栅层的两侧的基底的上表面内。