[发明专利]一种单晶硒纳米棒可见光光催化材料的制备方法及其用途有效

专利信息
申请号: 201410856157.4 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN104525224A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 张若芳;杨超;周朝昕;田熙科;罗东岳;王龙艳 申请(专利权)人: 中国地质大学(武汉)
主分类号: B01J27/057 分类号: B01J27/057;C01B19/02;B82Y30/00;B82Y40/00;C02F1/30;A62D3/17;A62D101/26
代理公司: 武汉华旭知识产权事务所 42214 代理人: 周宗贵;刘荣
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 单晶硒 纳米 可见光 光催化 材料 制备 方法 及其 用途
【说明书】:

技术领域

发明提供了一种单晶硒纳米棒可见光光催化材料及其制备方法,属于纳米材料技术领域,用于降解工业染料污染物中的染料,尤其是甲基橙。

背景技术

由于可见光响应的光催化剂应用于太阳能转化,所以搜寻可见光响应的光催化剂迫在眉睫。目前,相比较化合物光催化剂,比如氧化物,盐类等,人们开始探索一类新型的可见光响应的光催化剂并且将注意力转向单质光催化剂(G.Liu,ChemPhysChem 2013 14(5),885–892),比如单晶硅Si(Z.H.Kang,Adv.Mater.2009,21,661–664.)、α-S(G.Liu,J.Am.Chem.Soc.2012,134,9070–9073.)、红磷P(F.Wang,Appl.Catal.B 2012,111–112)和单质硒Se(Y.D.Chiou,Appl.Catal.B 2011,105,211–219.)。

在所有的单质半导体光催化剂中,t-Se NRs被认为是最重要的材料之一,由于它的间接带隙为1.8eV从而有很好的半导体性能,它还有独特的物理性能如导热性的各向异性、高光电导型、超导电性、高压电性、热电和非线性光响应等等。它应用于很多有前景的领域,比如半导体整流器、静电复印术、太阳能电池、玻璃产业和摄影曝光仪器等等(B.Gates,Adv.Funct.Mater.2002,12,219-227.)。

作为一种新型的光催化剂,2011年Yao-De Chiou合成了一种单晶硒纳米棒(Applied Catalysis B:Environment,2011,105,211-219.),用于紫外光降解亚甲基蓝,并探讨了其记忆效应,在黑暗中也会产生·OH。早在2004年,Sudip Nath合成了无定型α-Se纳米颗粒(Langmuir 2004,20,7880-7883.),利用分散剂稳定纳米颗粒防止其团聚,再应用于紫外光催化降解亚甲基蓝。由于太阳光中紫外光只占4%左右,利用率低,所以提出可见光响应的半导体是急需的。

发明内容

本发明提供了一种可见光光催化材料t-Se NRs的制备方法,解决了背景技术中的不足,所制备的单晶t-Se NRs,其形貌均一,可大批量生产。

实现本发明上述目的所采用的技术方案为:

一种单晶硒纳米棒可见光光催化材料的制备方法,包括以下步骤:(1)、制备无定型α-Se:

按照1:2的摩尔比称取二氧化硒和抗坏血酸,将二氧化硒溶解于去离子水中制得浓度为0.1~0.2mol/L的亚硒酸溶液,将抗坏血酸溶解于去离子水中制得浓度为0.2~0.4mol/L的亚硒酸溶液;将亚硒酸溶液滴加进抗坏血酸溶液中,滴加完成后,制得红色的悬浮液,搅拌悬浮液50~60分钟,将沉淀物离心并洗涤至中性,最后再离心得到固相产物α-Se;

(2)、制备单晶灰硒t-Se NRs:

将制备好的α-Se转移到装有浓度为0~10-2mol/L的NaOH乙醇溶液的烧杯里,静置老化20~24h后,洗涤干燥后得到灰色产物,即为单晶硒纳米棒可见光光催化材料t-SeNRs,通过漫反射光谱测得其半导体带隙为1.7~1.8eV。

本发明所制备的上述单晶硒纳米棒可见光光催化材料用于降解工业染料污染物中的染料。对于甲基橙的降解效果尤为明显。

在降解工业染料污染物中的染料时,加入少量双氧水,其光催化速率大大增加。随着H2O2量的增加,光催化速率也在不断增加。

与现有技术相比,本发明具有以下优点:1.利用简单环保的“固-溶-固”法合成了单晶t-Se NRs,其形貌均一,可大批量生产。

2.所制备的t-Se NRs具有可见光光催化性,且其可见光催化速率达到2×10-2min-1

4.本发明设计合理,操作简单,重复性好,光催化速率高,是个优良的可见光催化剂。

本发明通过“固-液-固”两步法合成单晶t-Se NRs,光催化性能测试结果表明其可见光催化速率高,是一种新型高效可见光光催化剂材料。

附图说明

图1为本发明实施例中所制备的t-Se NRs的XRD图;

图2为为制备的t-Se NRs可见光光催化剂的能谱分析结果图;

图3为利用紫外可见漫反射光谱测已制备的t-Se NRs半导体带隙的结果图;

图4为本发明五个实施例中所分别制得的t-Se NRs的SEM图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国地质大学(武汉),未经中国地质大学(武汉)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410856157.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top