[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在栅极金属层上采用包括氧化硅和氮化硅材料制作形成层间介质层；

在所述层间介质层上形成光阻层，并对所述光阻层进行第一次退光阻以露出第一面积的层间介质层；

对所述第一面积的层间介质层进行蚀刻以形成第一凹陷区；

对所述光阻层进行第二次退光阻以露出第二面积的层间介质层，其中，所述第一凹陷区位于所述第二面积的层间介质层中；

对所述第二面积的层间介质层和所述第一凹陷区进行蚀刻，以使得所述第一凹陷区的周边形成阶梯式的第二凹陷区。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在对所述第二面积的层间介质层和所述第一凹陷区进行蚀刻，以使得所述第一凹陷区的周边形成阶梯式的第二凹陷区的步骤之后，还包括：

对所述光阻层进行多次退光阻以依次露出多个面积的层间介质层，并对多个面积的层间介质层依序进行相应蚀刻，以形成多阶梯式的凹陷区通道。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在形成多阶梯式的凹陷区通道的步骤之后，还包括：

在所述凹陷区通道上分别对应形成源极金属层或漏极金属层。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制造方法，其特征在于，在进行退光阻时，采用干式蚀刻和电浆方式并在射频功率为200～3000KHz的条件下加工10～500秒进行退光阻。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述电浆方式所采用的制程气体为氧气、四氟化碳或氧化氮，所述射频功率为1000～2000KHz，加工时间为200～300秒。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在采用全干式蚀刻和氧气电浆方式进行退光阻时，使用多晶硅与氧化硅或氮化硅薄膜高选择比的蚀刻配方进行蚀刻，以形成所述凹陷区通道。

7.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在采用干式和湿式蚀刻组合退光阻时，采用缓冲氢氟酸BHF蚀刻液或氢氟酸HF蚀刻液进行蚀刻，以形成所述凹陷区通道。

8.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括层间介质层、源极金属层和漏极金属层，所述层间介质层采用包括氧化硅和氮化硅材料制作形成，所述层间介质层形成有阶梯式的凹陷区通道，所述源极金属层和所述漏极金属层形成于所述阶梯式的凹陷区通道内。

9.根据权利要求8所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述凹陷区通道至少为三层阶梯式。

10.根据权利要求9所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述凹陷区通道为四层阶梯式。