[发明专利]基于片上电感的宽带低噪声放大器在审
| 申请号： | 201410856705.3 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104506146A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李琛 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电感 宽带 低噪声放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于片上电感的低噪声放大器，其包括输入端、输入阻抗匹配电路、放大电路和输出端，其特征在于，所述输入阻抗匹配电路包含：
第一电感，与所述低噪声放大器的输入端相连；
第一NMOS晶体管，其栅极连接所述第一电感；
第一电容，连接于所述第一NMOS晶体管的栅极与源极之间；以及
并联的第二电感与第二电容，其一端与所述第一NMOS晶体管的源极相连，另一端接地。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述放大电路包括共源共栅结构的所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；所述第二NMOS晶体管的漏极连接所述低噪声放大器的输出端，同时通过负载连接电源。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述放大电路还包括并联的第三电感和第三电容，所述并联的第三电感和第三电容连接于所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管之间。
4.根据权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，所述负载为并联的第四电感和第四电容。
5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器的工作频率为大于等于1180MHz。
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