[发明专利]一种有机电致发光装置

权利要求书

1.一种有机电致发光装置，包括基板(101)，以及依次形成在所述基板上的第一电极层(102)、若干有机层和第二电极层(109)，所述的有机层包括依次设置在第一电极层(102)上的空穴传输层(103)、发光层、电子传输层(108)，其特征在于，

所述的发光材料层与所述电子传输层(108)之间设置有空穴/激子阻挡层(107)，所述空穴/激子阻挡层(107)包括有机阻挡材料和掺杂在所述有机阻挡材料中的电子传输材料；

所述有机阻挡材料的三线态能级T1大于发光材料层中主体材料及染料的三线态能级；

所述电子传输材料的LUMO能级大于有机阻挡材料的LUMO能级，单线态能级大于发光层主体材料及染料的单线态能级。

2.根据权利要求1所述有机电致发光装置，其特征在于，所述电子传输材料的HOMO能级大于发光层主体材料及染料的HOMO能级。

3.根据权利要求2所述有机电致发光装置，其特征在于，所述有机阻挡材料的三线态能级为2.48eV-2.8eV，所述电子传输材料的电子迁移率≥1×10^-4cm²/Vs。

4.根据权利要求1所述有机电致发光装置，其特征在于，所述的空穴/激子阻挡层(107)中有机阻挡材料为10-90wt％，所述电子传输材料为10-90wt％。

5.根据权利要求4所述有机电致发光装置，其特征在于，所述的空穴/激子掺杂阻挡层(107)中有机阻挡材料为40-80wt％，所述电子传输材料为20-60wt％。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于：所述空穴/激子掺杂阻挡层(107)的厚度为3nm-8nm。

7.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于：所述的电子传输材料为下式(1)-式(6)所示结构：

其中，Ar选自碳原子数为C₆-C₃₀的取代或未取代的亚稠环芳烃；Ar₁和Ar₂分别独立地选自氢原子、C₆-C₂₄的取代或未取代的芳基、碳原子数为C₆-C₂₄的取代或未取代的杂环芳基；n选自2至3的整数。

8.根据权利要求8所述的有机电致发光装置，其特征在于：所述的电子传输材料为下式(C1)-式(C26)所示结构：

9.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其特征在于：所述的有机阻挡材料为具有通式(20)所示结构：

其中芳基相同或者不同，是C₁-C₄₀芳环或者杂芳族环状体系，可被一个或多个R基取代；

R相同或者不同的选自H，F，Cl，Br，I，NO₂，CN或者C₁-C₄₀直链、支链或者环状的烷基或者烷氧基，其中一个或多个不相邻的CH₂基团可被-R'C＝CR'-，-C＝C-,Si(R')₂，Ge(Rt)₂,Sn(R')₂，-O-，-S-或者-NR'-取代，其中一个或多个氢原子可被F或者芳基取代，其中两个或多个取代基R，或者R和芳基可形成另外的单或者多环的脂族或者芳环体系；

R'是相同或者不同，选自H或者1-20个碳原子的脂族或者芳烃基团，其中两个或多个取代基R'或者R'和R和/或芳基可同样形成另外的单或者多环的脂族或者芳环体系；

n相同或者不同，是1，2，3或者4；

m相同或者不同，为1，2，3或者4；

o相同或者不同，是0，1，2或者3；

p相同或者不同，是0，1，2，3或者4；

条件是n+o的总和＝4,m+p的总和＝4。