[发明专利]EMC塑封料的去除方法在审
| 申请号： | 201410856993.2 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104607411A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘武;何应明;刘春阳 | 申请（专利权）人： | 广州兴森快捷电路科技有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | emc 塑封 去除 方法 | ||
1.一种EMC塑封料的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：
将待处理的封装体倾斜后用夹具将所述封装体固定；
将加热后的浓硫酸滴加到所述封装体的EMC塑封料顶部，并且观察所述封装体内的芯片是否露出，待所述封装体内的芯片露出后降低所述浓硫酸的滴加速度，同时每隔五滴观察一次所述封装体的腐蚀情况，直至露出所述封装体内的引线焊盘，完成腐蚀；以及
将完成腐蚀的所述封装体浸泡于有机清洁剂中3分钟～15分钟，接着取出所述封装体用去离子水洗净、烘干。
2.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，将待处理的封装体倾斜的操作中，所述封装体与竖直方向的夹角为5°～10°。
3.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，将加热后的浓硫酸滴加到所述封装体的EMC塑封料顶部的操作中，加热后的浓硫酸的温度为200℃～245℃。
4.如权利要求3所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，加热后的浓硫酸的温度为235℃～245℃。
5.如权利要求1、3或4所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，所述浓硫酸的质量分数为98％。
6.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，将加热后的浓硫酸滴加到所述封装体的EMC塑封料顶部的操作中，所述浓硫酸的滴加速度为2滴/秒。
7.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，待所述封装体内的芯片露出后降低所述浓硫酸的滴加速度的操作中，降低后的所述浓硫酸的滴加速度为1滴/秒。
8.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，所述有机清洁剂为丙酮或乙酸。
9.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，取出所述封装体用去离子水洗净的操作为：用去离子水缓慢滴注，洗净所述封装体。
10.如权利要求1所述的EMC塑封料的去除方法，其特征在于，取出所述封装体用去离子水洗净、烘干的操作中，烘干的温度为80℃。
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