[发明专利]嵌入式闪存的形成方法在审
| 申请号： | 201410857351.4 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104465525A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王哲献;高超;江红;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式 闪存 形成 方法 | ||
1.一种嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区域和外围电路区域；
在所述半导体衬底的存储区域上形成栅极堆叠层；
在所述栅极堆叠层上形成间隔排列的侧墙；
沿着所述侧墙之间的间隔刻蚀所述栅极堆叠层，以在所述栅极堆叠层内形成沟槽；
在所述沟槽以及间隔内形成字线栅；
在所述字线栅上形成保护层，所述保护层为多层堆叠结构；
在所述半导体衬底的外围电路区域形成逻辑电路的器件；
形成所述逻辑电路的器件之后，以所述侧墙、字线栅、以及剩余的保护层为掩模刻蚀所述栅极堆叠层，以形成栅极结构。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述多层堆叠结构包括：第一氧化硅层、以及位于所述第一氧化硅层上的氮化硅层，所述第一氧化硅层位于保护层的最底层。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一氧化硅层利用氧化工艺形成。
4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述氮化硅层利用低压化学气相沉积工艺形成。
5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的形成方法包括：
在所述栅极堆叠层、以及半导体衬底的外围逻辑区域上形成牺牲层，所述牺牲层在对应存储区域的位置形成有开口；
形成覆盖在所述牺牲层的上表面、以及所述开口的侧壁和底壁上的侧墙材料层；
刻蚀所述侧墙材料层，残留在所述开口侧壁上的侧墙材料层构成所述侧墙；
形成保护层之后、形成逻辑电路的器件之前还包括：去除所述半导体衬底的外围逻辑区域的牺牲层；
形成所述逻辑电路的器件之后、形成所述栅极结构之前还包括：去除所述半导体衬底的存储区域的牺牲层。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氮化硅。
7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，去除所述半导体衬底的外围逻辑区域的牺牲层的方法为干法刻蚀。
8.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，去除所述半导体衬底的外围逻辑区域的牺牲层的方法为湿法刻蚀；
所述保护层还包括：位于所述氮化硅层上的第二氧化硅层。
9.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述氮化硅层还覆盖在牺牲层和侧墙上。
10.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述剩余的保护层为第一氧化硅层，且厚度与形成保护层的步骤中第一氧化硅层的厚度相等。
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