[发明专利]管理堆叠的射频设备的寄生电容和电压处理

权利要求书

1.一种射频开关装置，包括：

地平面；

堆栈，被与地平面相关地布置，所述堆栈包含相互串联耦接的多个开关元件，并且所述堆栈具有第一和第二末端，所述第一末端包含所述多个开关元件中的第一个的相应端子；

第一焊料凸块，耦接到所述多个开关元件中的第一个的所述相应端子，使得第一焊料凸块的至少一部分与所述多个开关元件的一个或多个开关元件的区域重叠以产生凸块-开关重叠尺寸，所述凸块-开关重叠尺寸被与第一阈值相关地设置，以便设置对射频开关装置的总寄生电容的相应贡献，所述相应贡献在所述凸块-开关重叠尺寸的情况下取代所述一个或多个开关元件的寄生电容；以及

具有第一和第二平面表面的电介质板，所述第一焊料凸块被与所述第一平面表面相关联地布置，所述地平面被与第二平面表面相关联地布置，并且所述电介质板的厚度被与第二阈值相关地设置，以便提供对所述总寄生电容的相应贡献。

2.如权利要求1所述的射频开关装置，其中所述多个开关元件包含场效应晶体管，至少一些所述场效应晶体管的每一个与一个或多个相邻的场效应晶体管进行源极到漏极耦接。

3.如权利要求1所述的射频开关装置，其中所述多个开关元件包含场效应晶体管、双极结型晶体管、GaAs晶体管、二极管以及微机电器件中的至少一个。

4.如权利要求1所述的射频开关装置，其中所述第一焊料凸块特征在于大小尺寸，所述大小尺寸被与第二阈值相关地设置，以便设置对所述总寄生电容的相应贡献。

5.如权利要求4所述的射频开关装置，其中所述大小尺寸包含所述第一焊料凸块的半径和直径中的一个。

6.如权利要求1所述的射频开关装置，进一步包括第二焊料凸块，所述第二焊料凸块耦接到所述地平面和包含在所述堆栈的第二末端上的多个开关元件的第二个的相应端子。

7.如权利要求6所述的射频开关装置，进一步包括从所述堆栈的第一和第二末端中的一个到天线元件的连接。

8.如权利要求1所述的射频开关装置，其中所述凸块-开关重叠尺寸包含并且接近所述多个开关元件中的第一个。

9.一种射频开关模块，包括：

封装基板，配置为容纳多个组件；

地平面，布置在所述封装基板的第一侧上；

堆栈，被与地平面相关地布置在封装基板的第二侧上，所述堆栈包含多个相互串联耦接的开关元件，并且所述堆栈具有第一和第二末端，所述第一末端包含所述多个开关元件的第一个的相应端子；以及

第一焊料凸块，耦接到所述多个开关元件中的第一个的所述相应端子，使得第一焊料凸块的至少一部分与所述多个开关元件的一个或多个开关元件的区域重叠以产生凸块-开关重叠尺寸，所述凸块-开关重叠尺寸被与第一阈值相关地设置，以便设置对射频开关装置的总寄生电容的相应贡献，所述相应贡献在所述凸块-开关重叠尺寸的情况下取代所述一个或多个开关元件的寄生电容；以及

具有第一和第二平面表面的电介质板，所述第一焊料凸块被与所述第一平面表面相关联地布置，所述地平面被与第二平面表面相关联地布置，并且所述电介质板的厚度被与第二阈值相关地设置，以便提供对所述总寄生电容的相应贡献。

10.如权利要求9所述的射频开关模块，其中所述封装基板的厚度被与第二阈值相关地设置，以便设置对所述总寄生电容的相应贡献。

11.如权利要求9所述的射频开关模块，其中所述第一焊料凸块特征在于大小尺寸，所述大小尺寸被与第二阈值相关地设置，以便设置对所述总寄生电容的相应贡献。

12.如权利要求9所述的射频开关模块，进一步包括第二焊料凸块，所述第二焊料凸块穿过封装基板耦接到所述地平面，并且耦接到包含在所述堆栈的第二末端上的多个开关元件的第二个的相应端子。