[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410858160.X | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN104733499B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 李瑛长;郑浩永 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L29/423;H01L21/44;H01L21/02;H01L21/34;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造有机发光二极管显示装置的方法,该方法包括:
在基板上方形成第一电容器电极;
在所述第一电容器电极上方形成缓冲层;
在所述缓冲层上方形成第一半导体层和第二半导体层;
在所述第一半导体层和所述第二半导体层上方形成栅绝缘层;
通过图案化所述栅绝缘层形成暴露所述第二半导体层的至少一个孔;
在所述栅绝缘层上方形成栅极和第二电容器电极,其中,所述第二电容器电极通过所述至少一个孔接触所述第二半导体层;
在所述栅极和所述第二电容器电极上方形成中间绝缘层;
在所述中间绝缘层上方形成源极和漏极;以及
形成与所述漏极连接并发光的发光二极管,
其中,所述第一电容器电极与所述漏极连接,并且所述第二电容器电极与所述栅极连接。
2.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括形成与所述漏极连接并设置在所述第二电容器电极上方的第三电容器电极。
3.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括形成设置在所述第一半导体层下方并与所述栅极电连接的阻光层。
4.根据权利要求1所述的方法,其中形成所述第二电容器电极包括在所述漏极和所述第一电容器电极之间形成连接图案。
5.一种制造有机发光二极管显示装置的方法,该方法包括:
在基板上方形成第一电容器电极;
在所述第一电容器电极上方形成缓冲层;
在所述缓冲层上方形成第一半导体层和第二半导体层;
在所述第一半导体层和所述第二半导体层上方形成栅绝缘层;
通过将所述栅绝缘层图案化,形成暴露所述第二半导体层的至少一个孔;
在所述栅绝缘层上方形成栅极和第二电容器电极,其中,所述第二电容器电极通过所述至少一个孔接触所述第二半导体层;
在所述栅极和所述第二电容器电极上方形成中间绝缘层;
在所述中间绝缘层上方形成源极和漏极;
在所述源极和所述漏极上方形成钝化层;以及
在所述钝化层上方顺序形成第一电极、有机发光层和第二电极,
其中所述第一电容器电极与所述漏极连接且所述第二电容器电极与所述栅极连接。
6.根据权利要求5所述的方法,其中形成所述源极和所述漏极包括形成与所述漏极连接并设置在所述第二电容器电极上方的第三电容器电极。
7.根据权利要求5所述的方法,其中形成所述第一电容器电极包括形成设置在所述第一半导体层下方并与所述栅极电连接的阻光层。
8.根据权利要求5所述的方法,其中形成所述第二电容器电极包括在所述漏极和所述第一电容器电极之间形成连接图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的