[发明专利]纳米结构材料叠层转移方法和装置有效
| 申请号： | 201410858340.8 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104952698B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | M·沈;N·吴;Y·翟;S·南;J·A·罗杰斯;B·H·金;S·Y·杨;P·特雷弗纳斯;K·德什潘德;J·周;J·J·张;朴钟根 | 申请（专利权）人： | 伊利诺斯州立大学托管会;罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78;H01L29/06;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米结构材料 制造 多层纳米结构 材料复合物 方法和装置 含氟层 叠层 饰面 帮助 | ||
1.一种制造纳米结构材料复合物的方法，包含：
(a)在第一基底上提供多层复合物，所述多层复合物包含1)纳米结构材料层和2)不同于纳米结构材料层的一个或多个额外的功能层；
(b)将多层复合物转移至第二基底，
其中，多层复合物进一步包含饰面含氟层，
且其中，所述多层复合物通过饰面含氟层与印记接触。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述多层复合物由印记沉积在第二基底上。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中一个或多个额外的功能层包含一个或多个电荷传输层、电荷注入层和/或电极层。
4.一种制造纳米结构材料复合物的方法，包含：
(a)在第一基底上提供多层复合物，所述多层复合物包含纳米结构材料层和饰面含氟层；
(b)使多层复合物通过饰面含氟层与印记接触；
(c)将多层复合物由印记沉积在第二基底上。
5.如权利要求1或4所述的方法，其中所述含氟层包含氟化聚合物。
6.如权利要求1或4所述的方法，进一步包含在沉积多层复合物之后，移除含氟层。
7.如权利要求1或4所述的方法，其中多个多层复合物被沉积在第二基底上。
8.如权利要求7所述的方法，其中至少一个多层复合物包含红色发光纳米结构材料层；和/或至少一个多层复合物包含绿色发光纳米结构材料层；和/或至少一个多层复合物包含蓝色发光纳米结构材料层。
9.如权利要求1或4所述的方法，其中第二基底包含阳极层。
10.如权利要求2或4所述的方法，其中多层复合物的沉积提供了发光设备，光电探测器设备，化学传感器，光电设备，二极管，晶体管或生物活性表面。
11.如权利要求1或4所述的方法，其中纳米结构材料复合物具有200μm乘200μm或更小的尺寸。
12.如权利要求1或4所述的方法，其中纳米结构材料包含的纳米颗粒包含一个或多个异质结。
13.如权利要求1或4所述的方法，其中纳米结构材料包含量子点。
14.一种装置，其包含由权利要求1-13中任一项所得的复合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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