[发明专利]SIIS 2级传感器的偏距延长器在审

专利信息
申请号: 201410858456.1 申请日: 2014-12-05
公开(公告)号: CN104821903A 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: R·德梅洛 申请(专利权)人: 通用电气石油和天然气英国有限公司
主分类号: H04L12/40 分类号: H04L12/40;H04L12/44
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 叶晓勇;姜甜
地址: 英国布*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: siis 传感器 延长
【权利要求书】:

1.一种用于增加水下传感器的最大偏距的方法,包括如下步骤:

提供包括至少一个传感器的传感器总线,以及

在所述传感器总线上仿真至少一个附加传感器。

2.根据权利要求1的方法,其中,所述至少一个附加传感器由智能插入式模块仿真。

3.根据权利要求1的方法,其中,所述至少一个附加传感器由印刷电路板组装件仿真。

4.根据权利要求1的方法,其中,所述至少一个附加传感器由虚拟传感器仿真。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,在所述传感器总线上仿真至少一个附加传感器的步骤包括仿真高达所述传感器总线的最大容量的附加传感器。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,传感器总线按照海底仪器接口标准。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述至少一个附加传感器仿真为在星形拓扑网络中连接的传感器。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述至少一个附加传感器仿真为在菊花链型拓扑网络中连接的传感器。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述传感器总线连接到海底控制模块。

10.根据权利要求9的方法,其中,在所述海底控制模块和所述传感器总线之间仿真所述至少一个附加传感器。

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