[发明专利]光刻方法

权利要求书

1.一种制造电子设备的方法，依次包括以下步骤：

(a)提供包括一个或多个要图案化的层的半导体基材；

(b)在所述一个或多个要图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中光致抗蚀剂层由包括以下组分的组合物形成：包括具有酸不稳定基团的单元的基体聚合物；光致酸产生剂；和有机溶剂；

(c)在光致抗蚀剂层上涂覆光致抗蚀剂保护层组合物，其中所述保护层组合物包括淬灭聚合物和有机溶剂，其中所述淬灭聚合物包括含碱性部分的单元，其有效中和了在光致抗蚀剂层的表面区域内由光致酸产生剂产生的酸；

(d)将光致抗蚀剂层曝光于活化辐射下；

(e)在曝光后烘烤工艺中加热基材；和

(f)将曝光的膜用有机溶剂显影剂显影。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碱性部分的单元从选自以下的一种或多种单体得到：

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述含碱性部分的单元从选自以下的一种或多种单体得到：

4.根据权利要求1-3的任一项所述的方法，其中以淬灭聚合物计，所述含碱生部分的单元以0.1-30mol％的量存在于聚合物中。

5.根据权利要求1-4的任一项所述的方法，其中所述淬灭聚合物进一步包括第二单元，其由以下通式(I)表示的单体形成：

其中：R₁选自氢和取代或未取代的C1-C3烷基；R₂选自取代或未取代的C1-C15烷基；X为氧、硫或由通式NR₃表示，其中R₃选自氢和取代和未取代的C1-C10烷基；且Z为单键或间隔单元，其选自任选取代的脂肪族和芳香族烃，和它们的组合，任选的带有一个或多个选自-O-、-S-、-COO-和CONR₄-的连接部分，其中R₄选自氢和取代和未取代的C1-C10烷基。

6.根据权利要求5所述的方法，其中聚合物包括如以下通式(II)所示的单体作为可聚合单元：

其中R₅、R₆和R₇独立地表示为氢或C₁-C₃烷基、氟代烷基或氟代醇基团。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中Z为单键。

8.根据权利要求1-7的任一项所述的方法，其中所述淬灭聚合物是无规共聚物。

9.根据权利要求1-7的任一项所述的方法，其中所述淬灭聚合物是嵌段共聚物。

10.根据权利要求1-7的任一项所述的方法，其中所述淬灭聚合物是梯度共聚物。