[发明专利]包括光提取改型的发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

衬底；

在所述衬底上的二极管区，二极管区包括基于N-型层的氮化镓、有源区和基于P-型层的氮化镓；

在所述基于P-型层的氮化镓上的第一透明氧化层；

在所述衬底上的远离所述二极管区的第二透明氧化层；

在所述第一透明氧化层上的远离所述基于P-型层的氮化镓的第一反射器层；以及

在所述第二透明氧化层上的远离所述衬底的第二反射器层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一透明氧化层和第二透明氧化层两者包括铟锡氧化物(ITO)。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中所述ITO为几个微米或者更厚。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，进一步包括：

在所述第二反射器层上的远离所述第二透明氧化层的阻挡层；以及

在所述阻挡层上的远离所述第二反射器层的焊接层。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，进一步包括：

在所述键合层上的远离所述阻挡层的安装衬底。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述衬底包括碳化硅。