[实用新型]一种背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置有效
| 申请号： | 201420000853.0 | 申请日： | 2014-01-01 |
| 公开（公告）号： | CN203733763U | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李磊;邓丹 | 申请（专利权）人： | 长沙创芯集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410100 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背凹超减薄晶圆 出片电性 测试 装置 | ||
1.一种背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置，包括测试台盘（1），其特征在于：还包括设于测试台盘（1）上用于对背凹超减薄晶圆（9）进行限位的晶圆限位装置，设于测试台盘（1）上对背凹超减薄晶圆（9）背面进行吸附的真空槽（2），设于测试台盘（1）内的导腔管道（4），设于导腔（4）上并与测试台盘（1）上表面连通的多个孔道（3），设于导腔管道（4）上的二位三通阀（5），与二位三通阀（5）连通的真空泵（6）和U型管（7），以及填充于U型管（7）内的导电材料（8），并且所述二位三通阀（5）还与真空槽（2）连通。
2.根据权利要求1所述的背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置，其特征在于：所述晶圆限位装置包括设于测试台盘（1）上的两个晶圆限位块（10）。
3.根据权利要求2所述的背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置，其特征在于：所述导电材料（8）为水银。
4.根据权利要求2所述的背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置，其特征在于：所述背凹超减薄晶圆（9）的外径为6英寸，所述真空槽（2）的外径为5.5英寸，宽度为1mm。
5.根据权利要求2所述的背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置，其特征在于：所述孔道（3）的数量为九个，其中一个孔道（3）设置于测试台盘（1）的中心位置，其中八个孔道（3）均匀设置于以测试台盘（1）的中心为圆心、半径为50mm的位置，并且每个孔道（3）的直径均为1mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
