[实用新型]一种电动阀门控制电路

权利要求书

1.一种电动阀门控制电路，其特征在于，包括：

第一三端开关器件、第二三端开关器件、第三三端开关器件和第四三端开关器件；其中，所述第一三端开关器件、第二三端开关器件的第一端子接收电源信号，所述第一三端开关器件的控制端与第一输入端相连，所述第二三端开关器件的控制端与第二输入端相连，所述第一三端开关器件的第一端子与所述第二三端开关器件的第一端子相连，所述第一三端开关器件的第二端子分别与第一输出端、所述第三三端开关器件的第一端子、所述第四三端开关器件的控制端相连，所述第二三端开关器件的第二端子分别与第二输出端、所述第四三端开关器件的第一端子、所述第三三端开关器件的控制端相连，所述第三三端开关器件和所述第四三端开关器件的第二端子接地，所述第一输出端和所述第二输出端与电动阀门相连。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，

当所述第一输入端输入高电平信号、所述第二输入端输入低电平信号时，所述第一三端开关器件和所述第四三端开关器件导通，所述第二三端开关器件和所述第三三端开关器件截止，所述第一输出端输出高电平信号、所述第二输出端输出低电平信号；

当所述第一输入端输入低电平信号、所述第二输入端输入高电平信号时，所述第一三端开关器件和所述第四三端开关器件截止，所述第二三端开关器件和所述第三三端开关器件导通，所述第一输出端输出低电平信号、所述第二输出端输出高电平信号。

3.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述第一三端开关器件是第一三极管，所述第二三端开关器件是第二三极管，所述第三三端开关器件是第三三极管，所述第四三端开关器件是第四三极管；

其中，所述第一三极管和所述第二三极管是PNP型三极管，所述第三三极管和所述第四三极管是NPN型三极管；

所述第一三极管的基极经第一电阻器与第一输入端相连，所述第二三极管的基极经第二电阻器与第二输入端相连；

所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极的连接点与电源相连，所述第三三极管的发射极和所述第四三极管的发射极分别接地；

所述第一三极管的集电极与所述第三三极管的集电极连接，所述第一三极管的集电极还经过第四电阻器与所述第四三极管的基极连接；

所述第四三极管的集电极与所述第二三极管的集电极连接，所述第四三极管的集电极还经第三电阻器与所述第三三极管的基极连接；

所述第二三极管的集电极与所述第四三极管的集电极的连接点经第五电阻器与第一输出端相连，所述第一三极管的集电极与所述第三三极管的集电极的连接点与第二输出端相连；

所述第一输出端和所述第二输出端与电动阀门相连。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电路还包括一个电容器，所述电容器与所述电动阀门并联。

5.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述第一三端开关器件是第一MOS晶体管，所述第二三端开关器件是第二MOS晶体管，所述第三三端开关器件是第三MOS晶体管，所述第四三端开关器件是第四MOS晶体管；

其中，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管是PMOS晶体管，所述第三MOS晶体管和所述第四MOS晶体管是NMOS晶体管；

所述第一MOS晶体管的栅极经第一电阻器与第一输入端相连，所述第二MOS晶体管的栅极经第二电阻器与第二输入端相连；

所述第一MOS晶体管的漏极和所述第二MOS晶体管的漏极的连接点与电源相连，所述第三MOS晶体管的漏极和所述第四MOS晶体管的漏极分别接地；

所述第一MOS晶体管的源极与所述第三MOS晶体管的源极连接，所述第一MOS晶体管的源极还经过第四电阻器与所述第四MOS晶体管的栅极连接；

所述第四MOS晶体管的源极与所述第二MOS晶体管的源极连接，所述第四MOS晶体管的源极还经第三电阻器与所述第三MOS晶体管的栅极连接；

所述第二MOS晶体管的源极与所述第四MOS晶体管的源极的连接点经第五电阻器与第一输出端相连，所述第一MOS晶体管的源极与所述第三MOS晶体管的源极的连接点与第二输出端相连；

所述第一输出端和所述第二输出端与电动阀门相连。