[实用新型]防止稀释剂反向喷淋的晶元边缘光刻胶清除装置有效
申请号: | 201420005536.8 | 申请日: | 2014-01-06 |
公开(公告)号: | CN203659819U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 金海猷 | 申请(专利权)人: | 徐州同鑫光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B05B13/02;B05B15/04 |
代理公司: | 徐州支点知识产权代理事务所(普通合伙) 32244 | 代理人: | 张荣亮 |
地址: | 221000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 稀释剂 反向 喷淋 边缘 光刻 清除 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种清除装置,具体是一种防止稀释剂反向喷淋的晶元边缘光刻胶清除装置。
背景技术
在进行晶元涂布时,晶元边缘常常残留部分光刻胶,这些光刻胶如不清除,则晶元在跟晶舟盒、机器手臂,以及烘焙单元接触时,很容易造成对这些部件的污染。为了清除晶元边缘残留光刻胶,设有(如附图1所示)晶元边缘光刻胶清除装置,此清除装置通过喷头喷淋稀释剂来溶解不断旋转的卡盘上部的晶元边缘堆积的光刻胶。
但是,通过现有的晶元边缘光刻胶清除装置喷出的稀释剂,接触到晶元表面后,存在反向喷溅到已涂抹光刻胶部位的现象,即超出边缘不良管控范围,这一问题容易导致光刻胶被冲掉,造成图形缺失。
发明内容
本实用新型提供一种防止稀释剂反向喷淋的晶元边缘光刻胶清除装置,能够有效清除晶元边缘残留的光刻胶的同时,避免稀释剂反向喷溅向晶元。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种防止稀释剂反向喷淋的晶元边缘光刻胶清除装置,包括喷头支架,喷管,喷头支架用于固定喷管,还包括喷淋针头和挡板, 喷淋针头与喷管相连;挡板位于喷管下方。
挡板为四角形板状物体。
所述的喷淋针头的内径为0.5 mm ~1.0mm。
与现有技术相比,本装置在喷头末端安装小内径喷淋针头,利于将从边缘反向喷向晶元的稀释剂的量控制在边缘不良管控范围;在喷管下方安装挡板,避免了防止稀释剂反向喷向晶元,也起到保护晶元的作用。
附图说明
图1是现有的晶元边缘光刻胶清除装置结构示意图;
图2是本实用新型结构示意图。
图中:101、喷头支架,102、喷管,103、喷淋针头,104、挡板,105、稀释剂,106、晶元,107、光刻胶;
A是易堆积残留光刻胶区域;
B是边缘不良管控范围。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
如图2所示,一种防止稀释剂反向喷淋的晶元边缘光刻胶清除装置,包括喷头支架101,喷管102,喷头支架101用于固定喷管102,还包括喷淋针头103和挡板104, 喷淋针头103与喷管102相连;挡板104位于喷管102下方。
挡板104为四角形板状物体,晶元为一个平面物体,光刻胶涂抹于其表面,也呈现出平面状,因此,安装四角形的板状挡板104更为合理。
所述的喷淋针头103的内径为0.5 mm ~1.0mm,更利于将从边缘反向喷淋向晶元的稀释剂的量控制在边缘不良管控范围B,控制在1.5mm之内。
使用时,喷管102将稀释剂105喷向光刻胶107易堆积残留光刻胶区域A,喷淋针头103与喷管102相连,挡板104位于喷管102下方,阻挡稀释剂105接触到晶元表面后反向喷向晶元106。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州同鑫光电科技有限公司,未经徐州同鑫光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420005536.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造