[实用新型]二次电池及其盖体组件有效
| 申请号： | 201420006082.6 | 申请日： | 2014-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN203707198U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 邱正中;苏聪敏 | 申请（专利权）人： | 昆山聚达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01M2/04 | 分类号： | H01M2/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 于宝庆;刘春生 |
| 地址： | 215316 江苏省昆山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二次 电池 及其 组件 | ||
1.一种二次电池的盖体组件，耦合至电池罐的开口端，其特征在于，所述盖体组件包含：
碟型PTC元件，且包含第一导电层、第二导电层及PTC材料层，该PTC材料层层叠设置于该第一及第二导电层之间；
上盖，包含环形侧壁及外凸缘，且所述环形侧壁围绕形成凹穴，该凹穴容纳该PTC元件，其中该PTC元件的第二导电层电气连接该凹穴底部；
绝缘层，环绕设置于该PTC元件侧表面与所述环形侧壁之间，进行隔离；以及
安全阀，连接所述外凸缘并电气连接至所述电池罐中的阴极，可泄除所述电池罐的不正常过大压力和/或截断电流。
2.根据权利要求1的二次电池的盖体组件，其特征在于，该上盖由单一平板弯折而成。
3.根据权利要求1的二次电池的盖体组件，其特征在于，该PTC元件的上缘与该环形侧壁的上缘等高或略高于该环形侧壁的上缘。
4.根据权利要求1的二次电池的盖体组件，其特征在于，该盖体组件为帽状结构，所述PTC元件形成帽状结构顶部，且所述上盖的外凸缘形成帽状结构的帽沿部分。
5.根据权利要求1的二次电池的盖体组件，其特征在于，该PTC材料层的厚度为1.5～2.5mm。
6.一种二次电池，其特征在于，所述二次电池包含：
电池罐；及
盖体组件，耦合至所述电池罐的开口端，包含碟型PTC元件、上盖、绝缘层及安全阀；其中所述PTC元件包含第一导电层、第二导电层及PTC材料层，该PTC材料层层叠设置于该第一及第二导电层之间；所述上盖包含环形侧壁及外凸缘，且所述环形侧壁围绕形成凹穴，该凹穴容纳该PTC元件，该PTC元件的第二导电层电气连接该凹穴底部；所述绝缘层环绕设置于该PTC元件侧表面与所述环形侧壁之间进行隔离；所述安全阀连接所述外凸缘并电气连接至所述电池罐中的阴极，可泄除所述电池罐的不正常过大压力和/或截断电流。
7.根据权利要求6的二次电池，其特征在于，该上盖由单一平板弯折而成。
8.根据权利要求6的二次电池，其特征在于，该PTC元件的上缘与该环形侧壁的上缘等高或略高于该环形侧壁的上缘。
9.根据权利要求6的二次电池，其特征在于，该盖体组件为帽状结构，所述碟型PTC元件形成帽状结构顶部，且所述上盖的外凸缘形成帽状结构的帽沿部分。
10.根据权利要求6的二次电池，其特征在于，该PTC材料层的厚度为1.5～2.5mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山聚达电子有限公司，未经昆山聚达电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420006082.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
