[实用新型]电容式压力传感器和惯性传感器集成器件有效
申请号: | 201420006664.4 | 申请日: | 2014-01-02 |
公开(公告)号: | CN203643061U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 季锋;范伟宏;闻永祥;刘琛;饶晓俊 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司 |
主分类号: | G01L1/14 | 分类号: | G01L1/14;G01L9/12;G01C21/16;B81C1/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张振军 |
地址: | 310018 浙江省杭州市(*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 压力传感器 惯性 传感器 集成 器件 | ||
1.一种电容式压力传感器和惯性传感器集成器件,其特征在于,包括:
半导体衬底,包括并列的压力传感器区域和惯性传感器区域;
覆盖该半导体衬底的外延层,该外延层下方的压力传感器区域内的半导体衬底中具有空腔;
位于所述外延层上的第一介质层;
位于所述第一介质层上的第一导电层,所述惯性传感器区域的第一导电层被图形化为惯性传感器布线;
位于所述第一导电层上的第二介质层;
位于所述第二介质层上的第二导电层,所述空腔上方的第二导电层被图形化为多个并列的电容极板,所述惯性传感器区域的第二导电层被图形化为可动质量块;
位于所述第二导电层上的电极层,所述压力传感器区域的电极层被图形化为压力传感器布线,所述惯性传感器区域的电极层被图形化为惯性传感器压点区;
其中,所述空腔上方的第一介质层、第一导电层和第二介质层开有窗口,所述可动质量块周围的空隙下方的第一介质层和第二介质层开有窗口。
2.根据权利要求1所述的电容式压力传感器和惯性传感器集成器件,其特征在于,所述外延层的材料为单晶硅。
3.根据权利要求1所述的电容式压力传感器和惯性传感器集成器件,其特征在于,所述第一介质层和第二介质层的材料为氧化硅。
4.根据权利要求1所述的电容式压力传感器和惯性传感器集成器件,其特征在于,所述第一导电层和第二导电层的材料为多晶硅。
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