[实用新型]太阳能电池焊带有效
申请号: | 201420009044.6 | 申请日: | 2014-01-07 |
公开(公告)号: | CN203674233U | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 励征 | 申请(专利权)人: | 蒙特集团(香港)有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华;马维丽 |
地址: | 中国香港告士打道*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池焊带加工技术领域,特别涉及太阳能电池焊带。
背景技术
随着世界经济的快速发展,能源消耗越来越大,世界各国都需求新能源的应用和普及。由于二氧化碳排放导致的温室气体效应致使全球气候变暖并引发自然灾害,世界各国对清洁的可再生能源的需求尤其强烈。在美国2007年次贷危机导致的全球危机蔓延和扩大以来,为刺激经济增长,各国都通过了更积极的鼓励使用可再生能源的措施。美国奥巴马政府提出在未来10年投资1500亿美元用于清洁能源;欧盟设定目标在2020年将可再生能源占使用能源的比例提高到20%;日本提出在2030年使70%以上的新建住宅安装太阳能电池板(约70GW)。为缓解光电产品国内需求不足,2009年3月26日,中国财政部宣布将推动实施“太阳能屋顶计划”示范工程。财政部、住房和城乡建设部联合出台的《关于加快推进太阳能光电建筑应用的实施意见》中明确提出,实施“太阳能屋顶计划”,对光电建筑应用示范工程予以资金补助、鼓励技术进步与科技创新、鼓励地方政府出台相关财政扶持政策、加强建设领域政策扶持等一系列原则措施。现阶段在经济发达、产业基础较好的大中城市积极推进太阳能屋顶、光伏幕墙等光电建筑一体化示范;积极支持在农村与偏远地区发展离网式发电,实施送电下乡等有关规定,更是给太阳能技术的应用指明了方向。以太阳能屋顶、光伏幕墙等光电建筑一体化为突破口,可能在短期内让人们看到应用太阳能的诸多好处,也有利于今后大面积推广,激发产业资本投资太阳能领域的积极性。各国的新能源政策或许将成为下一个影响我们此后15年世界发展的重要政策之一。2009年的哥本哈根气候会议再次唤醒、强化了人们关注清洁能源的意识。伴随新能源的应用和普及,光伏行业的迅猛增长势头得到进一步的加强和重视。
焊带是光伏组件焊接过程中的重要原材料,焊带质量的好坏将直接影响到光伏组件电流的收集效率,对光伏组件的功率影响很大。如何通过焊带的异构化,来增加电池片的转化率,降低碎片率,一直是焊带行业研究的课题之一。
中国专利CN101789452A给出了一种涂锡焊带,其包括铜带及其表面的涂锡层,涂锡层表面具有均匀分布的坑状体。这种焊带在一定程度上使太阳光在坑状体中发生漫反射,提高了接受太阳光的能量。但是,其坑状体仅发生漫反射,反射回电池片的太阳光比例很小,提高的转化率有限;此外,其凹坑是在涂锡过程中制备,会产生不均匀的焊料层,并会产生与电池片焊接不牢的现象,出现虚焊。
中国专利CN102569470A给出了一种在焊带表面制备垂直于焊带长度方向的V型槽,以此来降低电池片的隐裂和碎片率。但此专利焊带V型槽是垂直于长度方向且V型槽间无明显的间距,因此这种焊带在与电池片焊接时不稳定,焊接不牢。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了克服现有太阳能电池焊带凹坑的数量在很大程度上影响了焊带的焊接牢固性的不足,本实用新型提供了一种太阳能电池焊带,增加经焊带反射的太阳光在光伏电池组件的玻璃与空气界面层发生全反射的比例,发生全反射的太阳光重新参与光电转换,从而将电池组件的功率提高0.5%-2.5%,并在一定程度上能降低太阳能电池片焊接后的内应力,从而不会产生因为焊带的热胀冷缩导致的碎片;而且即使表面压制有凹槽,也能保证有效焊接的面积,由于增加了焊接面积,并且凹槽能够形成应力隔段,且带凹槽面与电池片的银浆焊接后,提高了焊带的剥离强度。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种太阳能电池焊带,包括导电基带,所述导电基带为金属单质或合金材料,其具有上、下两个宽表面;
所述导电基带的一个或两个宽表面压制有若干凹槽,相邻的所述凹槽之间留有基带平面,并且同一宽表面的所述基带平面的总面积占其所在导电基带宽表面的面积比例m为5%≤m<25%。
基带平面的总面积占其所在导电基带宽表面的面积比例是一个关键,使得即使焊带表面压制有凹槽,也能保证有效焊接的面积,由于增加了焊接面积,并且凹槽能够形成应力隔段,且带凹槽面与电池片的银浆焊接后,提高了焊带的剥离强度。同时,限制了凹槽的深度,在所述深度范围内,凹槽的压制不会对基带上压制凹槽的相对面产生影响。
当导电基带仅一个宽表面压制凹槽时,所述的凹槽深度是导电基带厚度的1%-75%;
当导电基带两个宽表面均压制凹槽时,所述的凹槽深度是导电基带厚度的1%-50%。
进一步地,当导电基带仅一个宽表面压制凹槽时,所述的凹槽深度是导电基带厚度的5%-50%;
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