[实用新型]改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种石墨盘，尤其是一种改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘，属于MOCVD用石墨盘的技术领域。

背景技术

随着MOCVD（Metal-organic Chemical Vapor Deposition）设备厂家所做的一系列改善，相比较前几年，LED外延每炉产量有较大提升。同时，石墨盘厂商为适应外延设备和外延厂以及市场对芯片数量的要求，每片石墨盘的凹盘位数量呈数倍增加。

目前，外延生长使用的衬底尺寸分为2″、4″等多种，其中多数厂家以应用2″衬底为主。就2″衬底而言，LED外延生长普遍使用的石墨盘多为45片和54片等两种，如图1、图2所示。

然而，在外延生长时，目前的石墨盘基本都存在里圈波长均值比外圈短1～5nm的问题，且里圈均匀性较外圈差的情况也一直存在。针对此问题，多数外延厂家采取的方式为：降低内圈温度以拉长波长。但此动作往往会使内圈均匀性变差，也会对良率造成相当大的损失。因此，外延厂家迫切需要一种能缩小各圈波长差，并能改善各圈尤其是内圈均匀性的方法，从而提高外延良率，提高良品比例以降低生产成本，并能提高各种原材料的利用率。

目前，除了温度改变，生长气流、衬底放置方法等也是大家经常运用的手段。对所使用石墨盘的规格尺寸上，很少有人关注。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘，其结构紧凑，能缩小各圈波长宽度并改善内圈均匀性，适应范围广，安全可靠。

按照本实用新型提供的技术方案，所述改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘，包括盘体及设置于所述盘体内若干均匀分布的凹盘位；所述凹盘位包括内圈盘位及位于所述内圈盘位外圈的外圈盘位；所述内圈盘位及外圈盘位均包括第一台阶、位于第一台阶下方的第二台阶及位于第二台阶下方的弧形底；所述内圈盘位第二台阶的高度为40~100μm，所述外圈盘位的第二台阶的高度比内圈盘位第二台阶的高度低5~25μm。

所述第二台阶的底端与弧形底的深度为-30μm~30μm。

本实用新型的优点：通过调整盘体的凹盘位尺寸参数，在不变更外延生长条件时，即可拉近各圈的波长均值和保证较好的内圈均匀性，避免因频繁改变内圈设定温度和生长气流等各项指标而产生的其它并发问题，从而保持外延生长的稳定性和提高生长良率，最大程度上降低生产成本，适应范围广，安全可靠。

附图说明

图1为本实用新型具有45个凹盘位的2″石墨盘的结构示意图。

图2为本实用新型具有54个凹盘位的2″石墨盘的结构示意图。

图3为本实用新型的结构示意图。

附图标记说明：1-盘体、2-凹盘位、3-第一台阶、4-第二台阶及5-弧形底。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1、图2和图3所示：为了保持外延生长的稳定性，并拉近各圈波长均值，本实用新型包括盘体1及设置于所述盘体1内若干均匀分布的凹盘位2；所述凹盘位2包括内圈盘位及位于所述内圈盘位外圈的外圈盘位；所述内圈盘位及外圈盘位均包括第一台阶3、位于第一台阶3下方的第二台阶4及位于第二台阶4下方的弧形底5；所述内圈盘位第二台阶4的高度h2为40~100μm，所述外圈盘位的第二台阶4的高度h2比内圈盘位第二台阶4的高度h2低5~25μm。

具体地，凹盘位2在盘体1上以的中心为圆心，在盘体1上呈圆形或类似圆形的均匀分布，盘体1上一般设置三圈或四圈的凹盘位2，盘体2的材料通常为石墨，也可以根据需要使用其他外延生长的可用材料。第一台阶3的顶端为整个盘体1的顶端，第一台阶3通过一个平面与第二台阶4的上端连接，第二台阶4的下端与弧形底5的上端部连接。本实用新型实施例中，盘体1上所有凹盘位2对应第一台阶3的高度可相同，或相差较小；在具体实施时，第一台阶3的高度h1以大于待加工的衬底厚度为准。

所述第二台阶4的底端与弧形底5的深度为-30μm~30μm。弧形底5可以为上凸或下凹的形状，因此，第二台阶4的底端与弧形底5底端的深度为-30μm~30μm。

本实用新型通过调整盘体1的凹盘位2尺寸参数，在不变更外延生长条件时，即可拉近各圈的波长均值和保证较好的内圈均匀性，避免因频繁改变内圈设定温度和生长气流等各项指标而产生的其它并发问题，从而保持外延生长的稳定性和提高生长良率，最大程度上降低生产成本，适应范围广，安全可靠。