[实用新型]一种磁耦合型单相高增益无桥功率因数校正电路有效
申请号: | 201420011309.6 | 申请日: | 2014-01-08 |
公开(公告)号: | CN203691228U | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 丘东元;周丽萍;张波;肖文勋;黄子田 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H02M1/42 | 分类号: | H02M1/42 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 蔡茂略 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耦合 单相 增益 功率因数 校正 电路 | ||
1.一种磁耦合型单相高增益无桥功率因数校正电路,其特征在于:包括有交流输入电源(AC),第一电感(L1),第一二极管(D1),第二二极管(D2),第一开关管(S1)及其反并联二极管(DS1),第二开关管(S2)及其反并联二极管(DS2),第一电容(C1),第三二极管(D3),变压器(T),第二电容(C2),第四二极管(D4),输出电容(Cout);其中,所述交流输入电源(AC)的一端与第一电感(L1)的一端连接,其另一端分别与第一开关管(S1)的源极和第二开关管(S2)的漏极连接;所述第一电感(L1)的另一端分别与第一二极管(D1)的阳极和第二二极管(D2)的阴极连接;所述第一二极管(D1)的阴极分别与第一开关管(S1)的漏极、第一电容(C1)的一端、第三二极管(D3)的阳极连接;所述第二二极管(D2)的阳极分别与第二开关管(S2)的源极、变压器(T)原边的异名端、第二电容(C2)的一端、输出电容(Cout)的一端、负载的一端连接;所述第一电容(C1)的另一端与变压器(T)原边的同名端连接;所述变压器(T)副边的异名端分别与第三二极管(D3)的阴极和第二电容(C2)的另一端连接;所述变压器(T)副边的同名端与第四二极管(D4)的阳极连接;所述第四二极管(D4)的阴极分别与输出电容(Cout)的另一端和负载的另一端连接;所述输出电容(Cout)和负载并联。
2.根据权利要求1所述的一种磁耦合型单相高增益无桥功率因数校正电路,其特征在于:所述第一开关管(S1)和第二开关管(S2)的驱动信号一致。
3.根据权利要求1所述的一种磁耦合型单相高增益无桥功率因数校正电路,其特征在于:所述第一开关管(S1)和第二开关管(S2)为具有逆导特性的功率开关管。
4.根据权利要求1所述的一种磁耦合型单相高增益无桥功率因数校正电路,其特征在于:所述第一开关管(S1)和第二开关管(S2)为带反并联二极管的功率开关管。
5.根据权利要求1所述的一种磁耦合型单相高增益无桥功率因数校正电路,其特征在于:所述变压器(T)原副边的匝比为1:n。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置