[实用新型]氦气测漏装置

说明书

技术领域

本实用新型属于LED技术领域，主要涉及一种氦气测漏装置，用于检测ICP托盘装载晶圆后是否发生氦气泄漏。

背景技术

目前LED外延衬底图形在制造过程中，常常要在晶圆上做出极细微尺寸的图案(Pattern)，这些图案最主要的形成方式乃是使用蚀刻(Etching)技术，将微影(Photo-Lithography)技术所产生的光阻图形转印到光阻底下的材质上，而电浆反应离子蚀刻是将晶圆上不需要的部分的材质用电浆气体去除以达成图形转移(PatternTransfer)目的。

反应式离子蚀刻属于干蚀刻的一种，机械上属电感耦合式，在反应腔中通入气体，控制真空抽气系统使环境维持于低压(-1～20mTorr)状态，利用下电极上之13.56MHz低功率射频产生偏压，使电浆中离子或自由基轰击或与基板反应造成蚀刻。

反应式离子蚀刻反应腔中有2个电极，下电极接射频电源并通水冷却，并可通入氦气当热传导介质帮助冷却，被蚀刻晶圆即放在下电极板上，而上电极为分气盘，蚀刻气体由上方均匀注入腔中，反应后之气体由腔体下方四周的抽气管路排出。

现有ICP蚀刻机是将有承载晶圆的铝托盘放置在腔体内的卡盘上，通过压环装置使铝托盘和卡盘紧密接触，通过氦气的通入使铝托盘的温度快速的降低，但是目前的工艺是在ICP（Inductively Coupled Plasma感应耦合等离子体）托盘装载Wafer（晶圆）完成后，将装载Wafer的托盘通入机台的蚀刻环境腔体，开始执行工艺配方后才能够了解氦气泄漏的大小，如果氦气泄漏超过设定的最大值，将会改变腔室环境的压力严重影响蚀刻的效果。

发明内容

本实用新型提供一种氦气测漏装置，主要解决了现有装载晶圆的托盘开始执行工艺配方后才能够了解氦气泄漏的大小，从而严重影响ICP蚀刻机蚀刻效果的问题。

本实用新型的具体技术解决方案如下：

该氦气测漏装置包括用于固定装载晶圆的托盘的固定机构，用于将托盘和固定机构接触面之间形成的腔体进行抽真空的真空泵，真空泵通过管道和腔体连通，管道上设置有用于检测真腔体真空度的真空计和用于检测氦气泄漏数据的氦气侦测计。

上述管道上设置有开关真空泵的手动阀。

上述固定机构包括用于承载托盘的卡盘，托盘通过固定压块固定在卡盘上。

本实用新型的优点如下：

该氦气测漏装置可以准确掌握铝托盘氦气泄漏的实际情况，并通过调整托盘装载晶圆的位置减少对工艺的影响，提高了设备的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型氦气测漏装置的结构示意图；

附图明细如下：1-卡盘；2-铝托盘；3-固定装置；4-手动阀；5-真空计；6-氦气侦测计；7-真空泵。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的工作过程进行详述，如图2所示：

在将装载晶圆后的托盘装入机台的环境腔室之前，先将托盘放置在氦气测漏装置的卡盘上，再使用固定压块压住铝托盘的边缘位置，然后打开装置中的真空泵(Pump)，使管道达到真空状态，紧接着慢慢打开管道上端的手动阀门，抽取托盘与卡盘之间的大气。

抽取一段时间后观察真空计的数值，当真空计的数值达到工艺的要求后，在装有氦气的钢瓶端口加装气枪，并调整氦气压力在要求工作的范围内，然后使用气枪对侦测氦气泄漏装置上托盘中晶圆的边缘位置进行吹扫，在吹扫的过程中可以通过该装置上的氦气侦测计观察浓度的存在，如果氦气侦测计显示无氦气被侦测到，说明此晶圆位置处的氦气无泄漏，接着可以侦测下一个晶圆位置处的氦气泄漏情况，如果氦气侦测计显示有氦气被侦测到，说明此晶圆位置处的氦气有泄漏，可以暂时将该晶圆的位置记录。

等到将铝托盘上的所有晶圆位置处的氦气泄漏情况记录完成后，关闭手动阀门，将托盘从侦测装置上拆卸下来，再将托盘放置在装片载台上，拆卸托盘上的石英盖板，使用装片工具调整有氦气泄漏位置的晶圆，调整完成后再次使用托盘装载晶圆侦测氦气泄漏装置，直至托盘上装载的晶圆位置处都没有氦气被侦测到。