[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板及有机发光显示面板有效
| 申请号： | 201420016475.5 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN203674269U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 田宗民;谢振宇;陈旭 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L27/28;H01L21/77;H01L51/40;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 有机 发光 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，至少包括有源层，所述有源层由具有半导体性质的碳纳米管材料或具有半导体性质的石墨烯材料构成；还包括位于所述有源层上下两侧与有源层相接触的第一导电层和第二导电层；所述第一导电层和第二导电层由具有电子倍增功能的二次电子发射层构成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述具有电子倍增功能的二次电子发射层由金属氧化物或金属有机化合物材料构成。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电层的厚度为40-50nm，所述第二导电层的厚度为40-50nm。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述具有半导体性质的碳纳米管为氧化碳纳米管，所述具有半导体性质的石墨烯为氢气石墨烯。
5.根据权利要求1-4任一权项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括源极和漏极，所述源极和漏极由具有导体性质的碳纳米管或石墨烯材料构成；所述第二导电层位于所述源极和漏极与所述有源层之间且与所述源极和漏极对应设置。
6.一种阵列基板，包括基板及设置于所述基板上呈矩阵分布的多个像素单元，其特征在于，所述每一像素单元包括权利要求1-5任一权项所述的薄膜晶体管。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于每一像素单元的有机发光器件，所述有机发光器件至少包括叠层设置的阴极、阳极和位于阴极和阳极之间的发光层，所述阳极与所述薄膜晶体管中的漏极相连；
其中，所述阴极和阳极至少之一由具有导体性质的碳纳米管或石墨烯材料构成。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极还包括与所述阳极叠层设置的具有反光作用的导电膜层；和/或
所述阴极还包括与所述阴极叠层设置的具有反光作用的导电膜层。
9.根据权利要求6-8任一权项所述的阵列基板，其特征在于，所述基板为柔性基板。
10.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括权利要求6-9任一权项所述的阵列基板。
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