[实用新型]比较器输出结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路设计领域，尤其涉及一种比较器输出结构。

背景技术

常用的比较器输出结构中的比较器芯片为集电极或漏极开路输出，由芯片提供低电平电压驱动，并使用外部上拉电阻提供高电平输出。考虑比较器芯片输出电流能力以及芯片功耗，一般要求外部上拉较大阻值电阻，这使得比较器电路输出阻抗较高，实际输出电压精度受负载影响较大，容易产生波动，在要求输出电压精度较高的情况下，电路性能难以满足要求。为此，常规的方法是选用具有推挽输出结构的比较器芯片来弥补上述缺陷。然而，现有的具有推挽输出结构的比较器芯片，所要求的供电电压普遍较低（常见的为+5V供电），且成本相对较高，从而限制了其在12V汽车电子系统中的应用。

实用新型内容

本实用新型提供一种比较器输出结构，以解决比较器芯片在其工作电压较高，且对电路成本控制严格的情况下，输出电压精度不高的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种比较器输出结构，其包括比较器芯片和输出电压优化电路，所述比较器芯片的同相输入端和反相输入端分别接入前端的两路输入信号，其输出端与所述输出电压优化电路的输入端连接。

进一步的，所述输出电压优化电路包括上拉电阻和附加输出级驱动电路，所述上拉电阻的一端和附加输出级驱动电路的输入端均与所述比较器芯片的输出端连接，所述上拉电阻的另一端接入第一电源电压，所述附加输出级驱动电路的高、低两个基准电压接口分别接入第二电源电压及第三电源电压。

进一步的，所述附加输出级驱动电路包括推挽结构，所述推挽结构的输入端与所述比较器芯片的输出端连接，所述推挽结构的高、低两个基准电压接口分别接入第二电源电压及第三电源电压。

可选的，所述推挽结构包括两个三极管，分别为第一三极管和第二三极管，所述两个三极管的基极相接，并与所述比较器芯片的输出端连接，所述两个三极管的发射极相接，所述第一三极管的集电极接入所述第二电源电压，所述第二三极管的集电极接入所述第三电源电压。

可选的，所述推挽结构包括两个MOS管，分别为第一MOS管和第二MOS管，所述两个MOS管的栅极相接，并与所述比较器芯片的输出端连接，所述两个MOS管的漏极相接，所述第一MOS管的源极接入所述第二电源电压，所述第二MOS管的源极接入所述第三电源电压。

进一步的，所述输出电压优化电路还包括限流模块，所述限流模块设置于所述上拉电阻与所述附加输出级驱动电路之间。

进一步的，所述限流模块包括限流电阻，所述限流电阻的两端分别与所述上拉电阻的一端及所述附加输出级驱动电路的输入端连接。

进一步的，所述限流模块还包括二极管，所述二极管与所述限流电阻并联，所述二极管的阳极与所述上拉电阻的一端连接，其阴极与所述附加输出级驱动电路的输入端连接。

进一步的，所述比较器芯片为一集电极开路或漏极开路的比较器芯片。

进一步的，所述比较器芯片的供电电压范围为5～30伏。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供的比较器输出结构在现有技术中的比较器芯片后端增加了输出电压优化电路，并对其中的驱动电路使用较高精度的外部参考供电，从而将电路的实际输出电压精确地调整到一个新的电压的区间上，从而减小了输出电压的波动，提高了输出电压精度。另外，由于该输出电压优化电路是与比较器芯片分开的独立模块，因此其对不同供电电压比较器芯片的适应性强，可用于供电电压较高的比较器芯片的电压输出，如应用于12V汽车电子系统中。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

图1为本实用新型实施例提供的比较器输出结构的结构概念图；

图2为本实用新型实施例提供的比较器输出结构的具体结构图。

在图1和2中，

T1：第一三极管；T2：第二三极管；R1：上拉电阻；R2：限流电阻；D1：二极管；V1：第一电源电压；V2：第二电源电压；V3：第三电源电压；S1：比较器芯片；Vs：供电电压。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的比较器输出结构作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。