[实用新型]磁路系统及应用所述磁路系统的电声器件有效
申请号: | 201420017574.5 | 申请日: | 2014-01-10 |
公开(公告)号: | CN203747980U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 柳林;杨曦霖 | 申请(专利权)人: | 瑞声光电科技(常州)有限公司 |
主分类号: | H04R3/00 | 分类号: | H04R3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213167 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁路 系统 应用 电声 器件 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及一种磁路系统及应用所述磁路系统的电声器件。
【背景技术】
随着科学技术的发展,社会的进步,电子产品得到大量的普及,进而使磁路系统得到了大量的使用,为了得到更好的听觉上的享受,人们对电声器件的性能要求越来越高。磁路系统尤其是多磁路的磁路系统作为发声装置中的重要部件之一,其好坏直接影响着电声器件的性能。
相关技术电声器件的多磁路磁路系统包括导磁板、贴设在所述导磁板上的主磁钢、和与主磁钢对应的若干边磁钢、通常为了提高磁路性能,还会在多个主磁钢之间设置副磁钢,所述主磁钢和副磁钢用胶水贴设在所述导磁板上。这样的结构要求磁路系统的左右一致性要好,否则,当主磁钢、副磁钢和边磁钢都充磁后,所述磁钢之间会产生相互吸引,导致偏移失效,或擦到音圈,极大地影响了磁路系统的稳定性,进而影响电声器件的声学性能。
因此,实有必要提出一种新的电声器件来克服上述问题。
【实用新型内容】
本实用新型需解决的技术问题是提供一种性能稳定的磁路系统。
根据上述的技术问题,设计了一种磁路系统,其包括导磁板、间隔设置的两个主磁钢、相邻两主磁钢之间的副磁钢、位于主磁钢和副磁钢两侧的两个边磁钢、贴设于副磁钢的副极芯,以及贴设于边磁钢的上夹板,所述主磁钢、副磁钢以及边磁钢均位于导磁板上,所述主磁钢和边磁钢共同围成所述副磁钢,所述上夹板设有靠近所述副极芯的内侧边以及与所述内侧边相对的外侧边,所述上夹板上设有自内侧边向外侧边方向凹陷的凹槽,所述副极芯卡合固定在所述凹槽内。
优选的,所述两上夹板均设有凹槽,两凹槽分别卡合固定所述副极芯的两端。
本实用新型进一步提供了一种电声器件,其包括如上所述的磁路系统,其进一步包括一由侧壁围成的盆架。
优选的,所述上夹板的两长轴端设有嵌入盆架的嵌入部,所述盆架设有容纳所述嵌入部的收容部。
优选的,所述上夹板设有自外侧边向外部突出的凸出部,所述盆架设有容纳所述凸出部的卡槽。
优选的,所述上夹板上设有通孔,所述盆架对应通孔的位置设有与所述通孔干涉配合的定位柱。
优选的,所述导磁板包括平板和自平板弯折延伸的侧板,所述侧板位于两嵌入部之间。
优选的,所述电声器件为多磁路系统,其具有两个音圈,每个音圈分别环绕一个主磁钢。
本实用新型的电声器件上夹板上设有卡合固定所述副极芯的凹槽,防止了副磁钢在吸引下产生偏移而失效,提高了电声器件的稳定性。
【附图说明】
图1为本实用新型电声器件的分解图;
图2为本实用新型磁路系统的组合的示意图;
图3为本实用新型电声器件的部分组合示意图;
图4为本实用新型电声器件盆架的示意图。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。
如图1所示,本实用新型电声器件100其包括具有由侧壁31围成收容空间的盆架3、收容于盆架3中的磁路系统1和固持于盆架3上的振动系统2。
振动系统2包括振膜21和驱动振膜21振动的音圈22。
如图1和图2所示,磁路系统1包括导磁板13、贴设于其上间隔设置的两个主磁钢111,两主磁钢111之间设有一个副磁钢113。在主磁钢111和副磁钢113的两侧各设有一个边磁钢112。所述主磁钢111和副磁钢113均位于两边磁钢112之间。所述主磁钢111与边磁钢112共同围绕所述副磁钢113。
所述主磁钢111与边磁钢113和副磁钢112之间形成磁间隙(未标号),所述音圈22插入所述磁间隙中。本实施例中,所述电声器件100为多磁路系统,其具有两个音圈22,每个音圈22分别环绕一个主磁钢111。所述振膜可以为与音圈22相对应的多个振膜,也可是一个整体的振膜。
所述磁路系统1还包括贴设于主磁钢111表面的主极芯121和贴设在副磁钢113表面的副极芯132。所述主极芯121和副极芯123均由导磁材料制成,起到导磁作用。所述磁路系统1还包括贴设于边磁钢112表面的上夹板14。
所述上夹板14为平板结构,其上设有靠近副极芯的内侧边以及与所述内侧边相对的外侧边。所述上夹板14设有自内侧边向外侧壁方向凹陷的凹槽141,所述副极芯123卡合固定在该凹槽141内。所述副磁钢113与副极芯123紧密贴合。这样,可以起到副磁钢113的定位作用,防止副磁钢113在主磁钢111的吸引下产生偏移而影响磁路系统1的性能。
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