[实用新型]一种MOS管导通电阻测试器

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，具体涉及一种MOS管导通电阻测试器。 

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，MOSFET)由于良好的开关特性被广泛应用于各种电路，但由于MOSFET漏极(drain)和源极(source)存在导通电阻，导致D和S之间的导通压降不为零，这将影响电路的性能。因此，在设计电路时需要考虑MOSFET的导通电阻，这要求清楚MOSFET导通电阻的具体阻值。目前，有很多种测试MOSFET导通电阻的测试器，但这些测试器的电路设计都比较复杂。 

实用新型内容

本实用新型公开了一种MOS管导通电阻测试器，用于简化电路，以及使操作简单。 

本实用新型公开一种MOS管导通电阻测试器，包括：第一电流电路、第二电流电路、电压电路、测试电路、处理电路、显示电路、电源电路、被测MOS管Q3、开关S1～S3，其中： 

所述第一电流电路的输入端I1-1、所述第二电流电路的输入端I2-1、所述电压电路的输入端V1和所述电源电路的输入端1分别用于连接电源，所述第一电流电路的输出端I1-2和所述第二电流电路的输出端I2-3分别连接所述处理电路的输入端P2，所述电压电路的输出端V2连接所述处理电路的输入端P3，所述测试电路的输入端M1和所述测试电路的输入端M2分别连接所述被测MOS管Q3的漏极和所述被测MOS管Q3的源极，所述测试电路的输入端M3连接所述电源电路的输出端2，所述测试电路的输出端M4连接所述处理电路的输入端P4，所述处理电路的信号输出端连接所述显示电路的信号输入端，所述处理电路的输入端P1和所述显示电路的电源输入端X1分别连接所述电源电路的输 出端3，所述开关S1的一端、所述开关S2的一端和所述开关S3的一端分别连接所述被测MOS管Q3的源极、所述被测MOS管Q3的栅极和所述被测MOS管Q3的漏极，当所述被测MOS管Q3为PMOS时，所述开关S1的另一端、所述开关S2的另一端和所述开关S3的另一端分别连接所述电压电路的输出端V2、所述电压电路的输出端V3和所述第一电流电路的输出端I1-3，当所述被测MOS管Q3为NMOS时，所述开关S1的另一端、所述开关S2的另一端和所述开关S3的另一端分别连接所述第二电流电路的输出端I2-2、所述第二电流电路的输出端I2-3和所述电压电路的输出端V2；所述第一电流电路用于当所述被测MOS管Q3为PMOS时，给所述被测MOS管Q3提供稳定的工作电流；所述第二电流电路用于当所述被测MOS管Q3为NMOS时，给所述被测MOS管Q3提供稳定的工作电流，以及给所述被测MOS管Q3的栅极提供稳定的工作电压；所述电压电路用于给所述被测MOS管Q3提供稳定的工作电压；所述测试电路用于测试所述被测MOS管Q3的漏极与源极间的电压；所述处理电路用于采集所述第一电流电路提供的稳定电流、所述第二电流电路提供的稳定电流和所述测试电路测试的电压，计算所述被测MOS管Q3的漏极与源极间的导通电阻，并将所述导通电阻发送给所述显示电路；所述显示电路用于接收所述处理电路发送的所述导通电阻并显示；所述电源电路分别用于给所述测试电路、所述处理电路和所述显示电路提供工作电压。 

本实用新型实施例中，处理电路采集第一电流电路提供给被测MOS管的稳定电流或第二电流电路提供给被测MOS管的稳定电流，以及测试电路测试的被测MOS管漏极与源极间电压，计算被测MOS管漏极与源极间的导通电阻，并将导通电阻发送给显示电路并显示，不仅可以简化电路，而且使操作简单。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1是本实用新型第一实施例公开的一种MOS管导通电阻测试器的结构原理框图； 

图2是本实用新型第二实施例公开的另一种MOS管导通电阻测试器的结构原理框图。 

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。