[实用新型]一种制备纳米级羟基氧化钴的装置

权利要求书

1.一种制备纳米级羟基氧化钴的装置，其特征在于：包括一个高压反应釜(0)，所述的高压反应釜(0)的内底部设有曝气装置，串联的空气压缩机(11)和臭氧发生装置与所述的曝气装置连接，所述的高压反应釜(0)内设有温度调节装置和搅拌装置，所述的高压反应釜(0)上设有进液口(4)、排液口(41)和出气口(14)，所述的出气口(14)内设有减压阀(5)。

2.根据权利要求1所述的制备纳米级羟基氧化钴的装置，其特征在于：所述的空气压缩机(11)的进口连接有气体干燥器(12)。

3.根据权利要求1或2所述的制备纳米级羟基氧化钴的装置，其特征在于：所述的出气口(14)内设有臭氧消除器(51)。

4.根据权利要求1或2所述的制备纳米级羟基氧化钴的装置，其特征在于：所述的曝气装置由设在所述的高压反应釜(0)的内底部具有一定倾斜角度的斜板(6)以及设在所述的斜板(6)上面的至少一个曝气头(61)组成。

5.根据权利要求1或2所述的制备纳米级羟基氧化钴的装置，其特征在于：所述的温度调节装置包括设在所述的高压反应釜(0)内的加热板(2)和与所述的加热板(2)相互反馈协作的温度传感器(21)。

6.根据权利要求1或2所述的制备纳米级羟基氧化钴的装置，其特征在于：所述的搅拌装置由电机(3)以及与所述的电机(3)传动连接的主轴(32)和设在所述的主轴(32)上的搅拌桨(31)组成。

7.根据权利要求1或2所述的制备纳米级羟基氧化钴的装置，其特征在于：所述的进液口(4)位于所述的高压反应釜(0)的顶部，所述的排液口(41)位于所述的高压反应釜(0)的底部。