[实用新型]一种光刻标记结构有效
| 申请号： | 201420019121.6 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN203720532U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 邹永祥 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 标记 结构 | ||
1.一种光刻标记结构，其特征在于，包括第一测试标记和第二测试标记，所述第一测试标记包括内层结构和包围所述内层结构的外层结构，所述外层结构包括多个第一外层子结构和多个第二外层子结构，所述第二测试标记包括多个第三子结构和多个第四子结构，所述第三子结构设置于所述第一外层子结构内，所述第四子结构包围所述第二外层子结构。
2.如权利要求1所述的光刻标记结构，其特征在于，所述内层结构由四个独立的尺寸相同的内层子结构围合而成，其上下和左右方向均呈中心轴对称。
3.如权利要求2所述的光刻标记结构，其特征在于，所述外层结构由两个第一外层子结构以及两个第二外层子结构围合而成，所述第一外层子结构与第二外层子结构相对设置。
4.如权利要求3所述的光刻标记结构，其特征在于，所述外层结构的第一外层子结构和第二外层子结构与所述内层结构的内层子结构对应平行。
5.如权利要求3或4所述的光刻标记结构，其特征在于，所述第一外层子结构与第二外层子结构均为长条形，并且，所述第一外层子结构的宽度大于所述第二外层子结构的宽度。
6.如权利要求5所述的光刻标记结构，其特征在于，所述第一外层子结构的宽度在3.5-4.5μm之间，所述第二外层子结构的宽度在1.5-2.5μm之间。
7.如权利要求3所述的光刻标记结构，其特征在于，所述第二测试标记由两个第三子结构以及两个第四子结构围合而成，所述第三子结构与第四子结构相对设置。
8.如权利要求6所述的光刻标记结构，其特征在于，所述第二测试标记的第三子结构和第四子结构与所述内层结构的内层子结构对应平行。
9.如权利要求7或8所述的光刻标记结构，其特征在于，所述第三子结构为长条形，所述第四子结构为环形。
10.如权利要求9所述的光刻标记结构，其特征在于，所述第三子结构的宽度在1.5-2.5μm之间，所述第四子结构的宽度在1.5-2.5μm之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420019121.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
