[实用新型]可提高发光效率的外延PGaN层生长结构有效
| 申请号： | 201420021683.4 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN203800070U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 郭文平;钟玉煌;姜红苓 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 发光 效率 外延 pgan 生长 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底（1）及生长于所述衬底（1）上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底（1）上的缓冲层（2），所述缓冲层（2）上生长有N型化合物半导体材料层（3），所述N型化合物半导体材料层（3）上生长有有源层（4）；所述有源层（4）上生长有电子溢出阻挡层（5）；其特征是：所述电子溢出阻挡层（5）上生长P型化合物半导体材料层（6），所述P型化合物半导体材料层（6）内生长有P型InGaN-GaN超晶格层（7）。
2.根据权利要求1所述的可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，其特征是：所述P型化合物半导体材料层（6）的厚度为100~800nm，P型InGaN-GaN超晶格层的厚度为10~300nm。
3.根据权利要求1所述的可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，其特征是：所述衬底（1）为蓝宝石衬底或氮化镓衬底。
4.根据权利要求1所述的可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，其特征是：所述N型化合物半导体材料层（3）为N型GaN层。
5.根据权利要求1所述的可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，其特征是：所述P型化合物半导体材料层（6）为P型GaN层。
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