[实用新型]功率半导体模块有效
申请号: | 201420027659.1 | 申请日: | 2014-01-16 |
公开(公告)号: | CN203850269U | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 哈特姆特·库拉斯 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/049 | 分类号: | H01L23/049;H01L23/48;H01L23/36;H01L21/60 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 邹璐;安翔 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体 模块 | ||
1.功率半导体模块,其具有基板(2)和布置在所述基板(2)上且与所述基板(2)连接的功率半导体结构元件(13),其特征在于,所述功率半导体模块(1)具有一体式构造的导电的连接装置(9),其中,所述连接装置(9)具有扁平的第一联接区域(19)和扁平的第二联接区域(20)以及布置在所述第一联接区域(19)与所述第二联接区域(20)之间的弹性区域(15),其中,所述弹性区域(15)具有呈条状的第一和第二成型元件(17、18),所述成型元件彼此具有反向的弯折部且交替地布置,其中,所述第一联接区域(19)与所述基板(2)连接。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述连接装置(9)将所述基板(2)与导电的负载电流引导元件(10)导电地连接,其中,所述第二联接区域(20)与所述负载电流引导元件(10)连接。
3.根据前述权利要求之一所述的功率半导体模块,其特征在于,所述第一联接区域(19)的引导电流的线路横截面和所述第二联接区域(20)的引导电流的线路横截面关于所述弹性区域(15)的引导电流的线路横截面偏差所述弹性区域(15)的引导电流的线路横截面的最大±20%。
4.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述第一联接区域(19)具有与所述基板(2)连接的部段(19'),所述部段平行于所述基板(2)延伸。
5.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述第二联接区域(20)的至少一部分从所述基板(2)延伸出去。
6.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,在所述功率半导体结构元件(13)与所述基板(2)之间的和/或在所述连接装置(9)的第一联接区域(19)与所述基板(2)之间的连接分别实现为材料锁合的或力锁合的连接。
7.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述基板(2)在其背离所述功率半导体结构元件(13)的侧上与金属成型体(7)连接。
8.根据权利要求7所述的功率半导体模块,其特征在于,所述金属成型体(7)构造为用于将所述基板(2)热连接到冷却体上的金属板,或构造为冷却体。
9.根据权利要求7或8所述的功率半导体模块,其特征在于,在基板(2)与金属成型体(7)之间的连接实现为材料锁合的或力锁合的连接。
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