[实用新型]一种原子层薄膜沉积进气装置有效

专利信息
申请号: 201420031395.7 申请日: 2014-01-17
公开(公告)号: CN203741412U 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 潘龙;陈添明;彭文芳 申请(专利权)人: 北京七星华创电子股份有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 孟宪功
地址: 100015 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 原子 薄膜 沉积 装置
【权利要求书】:

1.一种原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于,包括:第一接头(1)、接管和第一导流管(9);所述接管分别与所述第一接头(1)和所述第一导流管(9)连通,所述第一导流管(9)两端分别安装有第一堵盖(8)和第二堵盖(11),所述第一导流管(9)的下部沿其轴向分别开有多个第一排气孔。 

2.根据权利要求1所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:所述第一导流管(9)内设有第二导流管(10),所述第二导流管(10)的上部沿其轴向分别开有多个第二排气孔。 

3.根据权利要求2所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:所述第二堵盖(11)上设有楔形块,所述楔形块位于所述第二导流管(10)内。 

4.根据权利要求1所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:所述接管上分别设有第二接头(4)和卡套(6),所述卡套(6)通过螺纹与所述第二接头(4)连接。 

5.根据权利要求2所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:所述第一排气孔与所述第一堵盖(8)和所述第二堵盖(11)的距离以及所述第二排气孔与所述第一堵盖(8)和所述第二堵盖(11)的距离均为0.1mm-1mm。 

6.根据权利要求2所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:多个所述第二排气孔总面积为所述第二导流管(10)横截面积的0.5-0.9倍。 

7.根据权利要求2所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:多个所述第一排气孔总面积为所述第二导流管(10)横截面积的1-8倍。 

8.根据权利要求4所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:所述第二接头(4)和所述接管之间设有密封圈(5)。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420031395.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top