[实用新型]一种原子层薄膜沉积进气装置有效
申请号: | 201420031395.7 | 申请日: | 2014-01-17 |
公开(公告)号: | CN203741412U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 潘龙;陈添明;彭文芳 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 孟宪功 |
地址: | 100015 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原子 薄膜 沉积 装置 | ||
1.一种原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于,包括:第一接头(1)、接管和第一导流管(9);所述接管分别与所述第一接头(1)和所述第一导流管(9)连通,所述第一导流管(9)两端分别安装有第一堵盖(8)和第二堵盖(11),所述第一导流管(9)的下部沿其轴向分别开有多个第一排气孔。
2.根据权利要求1所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:所述第一导流管(9)内设有第二导流管(10),所述第二导流管(10)的上部沿其轴向分别开有多个第二排气孔。
3.根据权利要求2所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:所述第二堵盖(11)上设有楔形块,所述楔形块位于所述第二导流管(10)内。
4.根据权利要求1所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:所述接管上分别设有第二接头(4)和卡套(6),所述卡套(6)通过螺纹与所述第二接头(4)连接。
5.根据权利要求2所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:所述第一排气孔与所述第一堵盖(8)和所述第二堵盖(11)的距离以及所述第二排气孔与所述第一堵盖(8)和所述第二堵盖(11)的距离均为0.1mm-1mm。
6.根据权利要求2所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:多个所述第二排气孔总面积为所述第二导流管(10)横截面积的0.5-0.9倍。
7.根据权利要求2所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:多个所述第一排气孔总面积为所述第二导流管(10)横截面积的1-8倍。
8.根据权利要求4所述原子层薄膜沉积进气装置,其特征在于:所述第二接头(4)和所述接管之间设有密封圈(5)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420031395.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:投射装置和投射控制装置
- 下一篇:转换装置、光波长转换模组及投影装置
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的