[实用新型]一种高压可控硅他励驱动电源装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子电路和电气自动化技术领域，特别涉及一种高压可控硅他励驱动电源装置。 

背景技术

可控硅是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。可控硅具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。可控硅可以被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，用于可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。高压软起动中一般采用光纤触发晶闸管，但光纤的接收端需要一个5V的直流电源，而晶闸管的阴极电位可能非常高，甚至达到上万伏。 

目前供电电源的获取可以采用以前两种方式： 

(1)通过隔离变压器从低压侧取能，该模式需要多个高绝缘的隔离变压器，不仅制造困难，而且成本很高。 

(2)采用自偏压取能，驱动电路电能来自于主电路，该偏压供能有一定的延迟时间，软起动完成起动动作旁路接触器闭合后，偏压将会逐渐下降到0。需要软停车时，从旁路接触器打开到门级驱动电路工作将会由于偏压重新取能产生一定的延时。这段时间，晶闸管可能会失去有效的控制，可靠性降低。 

实用新型内容

本实用新型的目的旨在至少解决所述技术缺陷之一。 

为此，本实用新型的目的在于提出一种高压可控硅他励驱动电源装置，该装置保证了驱动控制电路的安全稳定供能和高可靠性。 

为了实现上述目的，本实用新型的实施例提供一种高压可控硅他励驱动电源装置，包括：开关电源，所述开关电源包括：第一整流单元，所述第一整流单元的输入端接市电；第一滤波单元，所述第一滤波单元的输入端与所述第一整流单元的输出端相连；DC/DC变换单元，所述DC/DC变换单元的输入端与所述第一滤波单元的输出端相连；电流型控制芯 片，所述电流型控制芯片与所述DC/DC变换单元相连；单相逆变电路，所述单相逆变电路与所述开关电源相连，所述单相逆变电路包括：第一至第四金属氧化层半导体场效MOSFET晶体管，所述第一MOSFET管的漏极与所述开关电源和所述第二MOSFET管的漏极相连，所述第一MOSFET管的源级与所述第二MOSFET管的源级和所述第三MOSFET管的漏极相连，所述第三MOSFET管的源级与所述开关电源和所述第四MOSFET管的源级相连；电流环，所述电流环的一次侧与所述第二MOSFET管的源级和所述第四MOSFET管的漏极相连；门极驱动和保护电路，所述门极驱动和保护电路与所述电流环相连。 

在本实用新型的一个实施例中，所述DC/DC变换单元的输出电压为5V。 

在本实用新型的又一个实施例中，单相逆变电路的输出信号的幅值为5V，周期为80微秒。 

在本实用新型的再一个实施例中，该高压可控硅他励驱动电源装置还包括：移相型控制芯片和驱动芯片，所述移相型控制芯片和驱动芯片分别与所述单相逆变电路相连。 

在本实用新型的一个实施例中，所述电流环由高压电缆制成。 

在本实用新型的一个实施例中，该高压可控硅他励驱动电源装置还包括：DC/DC启动和关闭控制电路，所述DC/DC启动和关闭控制电路与所述DC/DC变换单元相连以控制所述DC/DC变换单元的启动和关闭。 

在本实用新型的又一个实施例中，高压可控硅他励驱动电源装置还包括：第二整流单元，所述第二整流单元的输入端与所述电流环的二次侧相连；第二滤波单元，所述第二滤波单元的输入端与所述第二整流单元的输出端相连；稳压集成电路，所述稳压集成电路的输入端与所述第二滤波单元的输出端相连，所述稳压集成电路的输出端与所述门极驱动和保护电路相连。 

根据本实用新型实施例的高压可控硅他励驱动电源装置，采用的他励驱动电源技术驱动电源来自外供电源，不存在自偏压取能电路存在的延时、软停车时失效等问题，保证了驱动控制电路的安全稳定供能和高可靠性。本实用新型通过开关电源的设计，利用电压、电流双闭环保证输出直流电压的稳定，并且采用单相逆变电路驱动脉冲的触发设计。同时本实用新型将外供电源的交流信号通过高压电缆组成的一次电流环，二次侧供能给驱动控制电路，合理解决了一次侧与二次侧的绝缘。 

本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。 

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中： 

图1为根据本实用新型实施例的高压可控硅他励驱动电源装置的示意图