[实用新型]一种新型功率半导体模块有效
| 申请号： | 201420040658.0 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN203760465U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 贺东晓;尹建维 | 申请（专利权）人： | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/373;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 赵秀斌 |
| 地址： | 225116 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 功率 半导体 模块 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型功率半导体模块，其特征在于：包括芯片、DBC板、基板、硅胶保护层，所述芯片焊接在所述DBC板上，所述DBC板焊接在所述基板的上部表面上，所述硅胶保护层覆盖在所述芯片上，所述基板为复合板，所述复合板设有两层或两层以上，所述DBC板焊接在所述复合板的最上层的表面上。
2.根据权利要求1所述的一种新型功率半导体模块，其特征在于：所述复合板的底部设有凹槽。
3.根据权利要求2所述的一种新型功率半导体模块，其特征在于：所述凹槽中安插有散热片。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种新型功率半导体模块，其特征在于：所述基板为复合板，所述复合板由两层或两层以上的材料构成。
5.根据权利要求1至3任一项所述的一种新型功率半导体模块，其特征在于：所述基板为铜铝铜三层复合板，所述复合板的上层为铜层，中层为铝层，下层为铜层。
6.根据权利要求1至3任一项所述的一种新型功率半导体模块，其特征在于：所述复合板的底部设有预设的图形。
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