[实用新型]一种单模半微盘谐振腔

权利要求书

1.一种单模半微盘谐振腔，包括分别闭合的内、外轮廓线，内、外轮廓线之间为非良导体材料的波导（3），或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导（3），其特征在于，所述内轮廓线由用于电学连接或机械连接的扇形连接区域（2），以及实现波导宽度从窄到宽的渐变过渡曲线（1）组成，所述扇形连接区域（2）的角度小于或等于270度且大于0度。

2.根据权利要求1所述的单模半微盘谐振腔，其特征在于，所述扇形连接区域（2）为半圆形。

3.根据权利要求1所述的单模半微盘谐振腔，其特征在于，所述外轮廓线为圆形或过渡曲线形。

4.根据权利要求1所述的单模半微盘谐振腔，其特征在于，所述的过渡曲线（1）设有平板波导连接或者侧壁光栅连接。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的单模半微盘谐振腔，其特征在于所述过渡曲线（1）是用于平滑连接的曲线，包括样条曲线、插值曲线、最小变化曲线、欧拉螺线。

6.一种高速调制器，其特征在于，包含权利要求1至5中任意一项所述的单模半微盘谐振腔，所述单模半微盘谐振腔的波导（3）上制作有PN结，上层为P型硅（5），下层为N型硅（4），在单模半微盘谐振腔的连接区域（2）连接有电学连接结构，所述的电学连接结构上层为P+型硅（7），中层为本征硅（8），下层为N+型硅（6），在N+型硅（6）上表面以及P+型硅（7）上表面连接有金属电极（9）。

7.一种高速调制器，其特征在于，包含权利要求1至5中任意一项所述的单模半微盘谐振腔，所述单模半微盘谐振腔的波导（3）上制作有PN结，下层为P型硅（5），上层为N型硅（4），在单模半微盘谐振腔的连接区域（2）连接有电学连接结构，所述的电学连接结构下层为P+型硅（7），中层为本征硅（8），上层为N+型硅（6），在N+型硅（6）上表面以及P+型硅（7）上表面连接有金属电极（9）。