[实用新型]功率半导体模块有效
申请号: | 201420045458.4 | 申请日: | 2014-01-24 |
公开(公告)号: | CN203746841U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 金晓行 | 申请(专利权)人: | 嘉兴斯达微电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/498;H01L23/373 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 翁霁明 |
地址: | 314006 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体 模块 | ||
1.一种功率半导体模块,它至少包含两块连接在散热基板上面的绝缘基板,其特征在于每个绝缘基板上分别连接有功率端子和信号端子,每三个功率端子组成一个平行的半桥模块;其中一个功率端子连接外部一个母线;另两个分别为一个低电位和一个高电位的功率端子连接另外一个母线;在所述绝缘基板上分别粘结有功率芯片和二极管芯片,功率芯片和二极管芯片的表面和绝缘基板之间用键合铝线电气连接起来。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于所述功率端子超声波键合的方式连接在每个绝缘基板上,所述的信号端子用超声波或者软钎焊连接在所述绝缘基板上面;所述的功率芯片和二极管芯片通过回流软钎焊接、扩散焊接,银粉压接中的一种粘结方式连接在绝缘基板上。
3. 根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于所述绝缘基板由中间陶瓷材料层和上下覆铜层组成,其中所述的陶瓷材料是Al2O3,ALN,Si3N4中的至少一种;所述的两侧覆铜,其厚度0.1-0.3mm之间;每个绝缘基板上包含一个单独的半桥电路结构。
4.根据权利要求3所述的功率半导体模块,其特征在于所述绝缘基板粘结在用铜或AiSiC或CuSiC制成的平板状散热基板上,所述散热基板的厚度是3-5mm。
5.根据权利要求4所述的功率半导体模块,其特征在于所述散热基板上包含有六个安装孔,每四个安装孔锁住有一块绝缘基板。
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