[实用新型]一种适用于高频IC芯片的QFN封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及芯片封装技术，尤其涉及一种适用于高频IC芯片的QFN封装结构。

背景技术

目前，射频电子芯片产品正朝着小型化、高速、高效率的方向发展。对于现今的新型射频器件或微波器件，其频率越来越高，如18Ghz至23Ghz，或者38Ghz至42Ghz及以上，且功耗越来越大，因此，其必须采用特别的材料以及特定的封装结构才能满足那些高频IC芯片的散热性能需求和电性能需求，但是对于所述特定的封装结构，其结构复杂，实现难度大。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种结构简单且能够满足高频IC芯片电热性能需求的QFN封装结构。

本实用新型所采用的技术方案是：一种适用于高频IC芯片的QFN封装结构，其包括高频IC芯片裸片、键合线、金属焊盘以及围绕设置在金属焊盘四周的多个导电焊盘，所述的金属焊盘上设有一个空腔，而所述的高频IC芯片裸片嵌入设置在所述的空腔内；所述的导电焊盘通过键合线进而与高频IC芯片裸片进行电连接。

进一步，所述的多个导电焊盘中至少一个导电焊盘与金属焊盘边沿之间的距离小于其余导电焊盘与金属焊盘边沿之间的距离。

进一步，所述金属焊盘的边沿设有至少一个凹位，而所述的导电焊盘嵌入设置在所述的凹位内。

进一步，所述空腔的底面上设有粘贴层，而所述的高频IC芯片裸片设置在所述粘贴层的上表面。

进一步，所述的粘贴层为导电粘贴层或非导电粘贴层。

本实用新型的有益效果是：本实用新型不仅能够满足高频IC芯片的散热性能需求和电性能需求，而且还具有结构简单、易于实现、成本低等优点。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明：

图1是本实用新型一种适用于高频IC芯片的QFN封装结构一具体实施例的立体结构示意图；

图2是本实用新型一种适用于高频IC芯片的QFN封装结构另一具体实施例的立体结构示意图。

1、导电焊盘；2、空腔；3、金属焊盘；4、高频IC芯片裸片；5、键合线。

具体实施方式

由图1和图2所示，一种适用于高频IC芯片的QFN封装结构，其包括高频IC芯片裸片4、键合线5、金属焊盘3以及围绕设置在金属焊盘3四周的多个导电焊盘1，所述的金属焊盘3上设有一个空腔2，而所述的高频IC芯片裸片4嵌入设置在所述的空腔2内；所述的导电焊盘1通过键合线5进而与高频IC芯片裸片4进行电连接。

由于所述的金属焊盘3上设有一个空腔2，而所述的高频IC芯片裸片4嵌入设置在所述的空腔2内，因此这样能够更加充分地使高频IC芯片裸片4的热量通过金属焊盘3散出，从而提高了散热性，满足了高频IC芯片的散热性能需求。而且，由于所述的高频IC芯片裸片4是嵌入设置在空腔2内，因此，高频IC芯片裸片4与导电焊盘1之间连接所用的键合线5的长度会缩短，从而能够使电性能更好，以满足高频IC芯片的电性能需求。

由上述可得，通过在金属焊盘3上设置一个空腔2，并且将高频IC芯片裸片4嵌入设置在该空腔2内，则能够满足高频IC芯片的散热性能需求以及电性能需求，因此由此可知，在满足高频IC芯片的散热性能需求以及电性能需求的同时，本实用新型具有结构简单以及易于实现的优点。而且，由于所述的空腔2可利用现有技术冲压、蚀刻或其它加工方式形成的，因此，在实现本实用新型的封装结构时，则无需购物新的封装设备，从而能够节省加工成本的投入。

进一步作为优选的实施方式，所述的多个导电焊盘1中至少一个导电焊盘1与金属焊盘3边沿之间的距离小于其余导电焊盘1与金属焊盘3边沿之间的距离，即在封装加工时，根据实际的需要，可将至少一个的导电焊盘1设置在离金属焊盘3较近的地方，这样则能够进一步地缩短该导电焊盘1与高频IC芯片裸片4之间连接所用的键合线5的长度，从而进一步地提高高频IC芯片的电性能。

进一步作为优选的实施方式，所述金属焊盘3的边沿设有至少一个凹位，这样则能够使导电焊盘1设置在离金属焊盘3更近的地方，从而缩短该导电焊盘1与高频IC芯片裸片4之间连接所用的键合线5的长度，进一步地提高高频IC芯片的电性能。而此时，该导电焊盘1并没有嵌入设置在所述的凹位内。