[实用新型]一种多层膜结构的多源调控的阻变存储器有效
| 申请号： | 201420055422.4 | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN203800041U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王守宇;刘卫芳;席晓鹃;王海菊;王旭;郭峰 | 申请（专利权）人： | 天津师范大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 朱红星 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 膜结构 调控 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种多层膜结构的多源调控的阻变存储器，包括铁电单晶基板（1）、导电下电极（2）、铁电薄膜层或异质结层（3）、上电极薄膜层（4）、门电极层（5）；其特征在于：导电下电极（2）设于铁电单晶基板（1）和铁电薄膜层或异质结层（3）之间，上电极薄膜层（4）设于顶层，门电极层（5）至于最下层。
2.根据权利要求1所述的多层膜结构的多源调控的阻变存储器，其特征在于：所述的铁电单晶基板（1）为PMN-PT；所述的导电下电极（2）为LaxSr1-xMnO3或LaxCa1-xMnO3锰氧化物，其中x的值在0.1-0.2；所述的铁电薄膜层或异质结层（3）为BaTiO3或BiFeO3铁电薄膜中一种或多层异质结；所述的上电极薄膜层（4）或门电极层（5）是Pt、Au或Al导电薄膜中的一种。
3.根据权利要求1所述的多层膜结构的多源调控的阻变存储器，其特征在于：所述的铁电单晶基板（1）的厚度为0.5 mm，导电下电极（2）的厚度为10-50 nm；铁电薄膜层（3）的厚度为50-300 nm；上电极薄膜层（4）或门电极层（5）的厚度为500 nm。
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