[实用新型]封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种封装结构。

背景技术

晶圆级芯片封装（Wafer Level Chip Size Packaging，WLCSP）技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片一致。晶圆级芯片尺寸封装技术改变传统封装如陶瓷无引线芯片载具（Ceramic Leadless Chip Carrier）、有机无引线芯片载具（Organic Leadless Chip Carrier）和数码相机模块式的模式，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。经晶圆级芯片尺寸封装技术封装后的芯片尺寸达到了高度微型化，芯片成本随着芯片尺寸的减小和晶圆尺寸的增大而显著降低。晶圆级芯片尺寸封装技术是可以将IC设计、晶圆制造、封装测试、基板制造整合为一体的技术，是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。

现有的晶圆级芯片尺寸封装方法主要包括以下步骤：

首先，将半导体晶圆与基板压合，所述客户层是指形成有器件的材料层，晶圆表面的器件部分被基板保护，减少外界的污染和损害；对晶圆相对于基板的背面进行减薄后，并利用光刻技术以及等离子体干法刻蚀工艺，对晶圆进行刻蚀，形成凹槽，并暴露出若干焊垫。

然后，在凹槽表面形成绝缘层，并对焊垫进行镭射打孔。

最后，在晶圆背面上沉积金属层，并对所述金属层进行图形化，形成金属线路，完成布线；在金属线路上形成填充凹槽的阻焊层，并且在焊接处形成开口，在所述开口内形成焊球；再将晶圆沿切割道中心切割开，得到芯片；将芯片通过锡球电连接到PCB板上，实现信号输入和输出。

更多晶圆级芯片尺寸封装方法可以参考公开号为CN101419952A的中国专利。

现有的芯片封装方法形成的封装结构的可靠性还有待进一步的提高。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种芯片封装结构，提高封装结构的可靠性。

为解决上述问题，本实用新型提供一种封装结构，包括：基底，所述基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面具有客户层以及位于客户层内的焊垫；位于所述基底第二表面内的凹槽，所述凹槽具有第一子凹槽及位于第一子凹槽两侧的凸出的第二子凹槽，所述第一子凹槽和第二子凹槽连通，所述第二子凹槽暴露出焊垫的部分表面，并且所述第二子凹槽最多暴露出所述焊垫的一条边；位于所述凹槽内壁表面及基底的第二表面的绝缘层；位于焊垫内的通孔，所述通孔穿透绝缘层和焊垫；位于所述凹槽、通孔表面的布线金属层；位于所述布线金属层表面的阻焊层，所述阻焊层内具有开口，所述开口暴露出部分布线金属层的表面；位于所述开口内的位于布线金属层表面的焊球。

可选的，所述第一子凹槽位于相邻焊垫之间的客户层表面。

可选的，所述第二子凹槽包括第一部分和第二部分，第一部分位于焊垫表面，第二部分位于客户层表面，连通所述第一部分及第一凹槽。

可选的，还包括：基板，所述基底的第一表面与基板压合。

与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点：

本实用新型的技术方案中，基底的第二表面内形成有凹槽，所述凹槽具有第一子凹槽及位于第一子凹槽两侧的凸出的第二子凹槽，所述第一子凹槽和第二子凹槽连通，所述第二子凹槽暴露出焊垫的部分表面，并且所述第二子凹槽仅暴露出所述焊垫的一条边。由于所述第二子凹槽仅暴露出所述焊垫的一条边，所以所述焊垫的其余三条边被焊垫上方的衬底覆盖，所述衬底能够对焊垫起到有效的支撑作用，抵消焊垫受到的应力作用，避免由于焊垫受到过大应力而导致焊垫与衬底的连接处断开，从而可以提高形成的封装结构的可靠性，以及封装芯片的可信赖性。

附图说明

图1至图10是本实用新型的实施例的封装结构的形成过程的示意图。

具体实施方式

如背景技术中所述，现有的芯片封装方法形成的封装结构可靠性较低。

一方面，是由于在凹槽内填充的阻焊层的厚度较大，在形成所述阻焊层的热固化的过程中，由于阻焊层与晶圆的热膨胀系数不同，会产生较大的应力，并传递给客户层，在客户层内产生较大的应力；并且在采用回流焊工艺形成焊球的过程中，由于阻焊层与晶圆的热膨胀系数不同，回流焊过程中的高温也会在客户层内产生应力。