[实用新型]一种半导体激光器芯片

权利要求书

1.一种半导体激光器芯片，其特征在于，包括：自下而上依次为N面散热结构、N面电极、N区外延层、有源区、P区外延层、P面电极和P面散热结构，所述N面电极通过生长衬底的转换方式形成。 

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器芯片，其特征在于，所述生长衬底包括预置转换层；所述预置转换层能够将所述生长衬底转换为所述N面电极。 

3.根据权利要求2所述的一种半导体激光器芯片，其特征在于，所述生长衬底通过外延生长方式形成所述预置转换层，所述预置转换层通过外延生长方式自下而上依次形成所述N区外延层、所述有源区和所述P区外延层。 

4.根据权利要求2所述的一种半导体激光器芯片，其特征在于，所述预置转换层能够被腐蚀液选择性消除；所述腐蚀液具体为HF或BOE。 

5.根据权利要求3所述的一种半导体激光器芯片，其特征在于，所述P面电极经过光刻、刻蚀、蒸镀TiPtAu和退火形成，所述N面电极经过蒸镀AuGeNi形成。 

6.根据权利要求2所述的一种半导体激光器芯片，其特征在于，所述P区外延层包括电流限制结构，所述电流限制结构具体为脊形结构；所述N面散热结构和所述P面散热结构具体为铜层。 

7.根据权利要求6所述的一种半导体激光器芯片，其特征在于，所述铜层通过电镀方式形成。 

8.根据权利要求1～7任一项所述的一种半导体激光器芯片，其特征在于，所述生长衬底包括GaAs。 

9.根据权利要求2～7任一项所述的一种半导体激光器芯片，其特征在于，所述预置转换层包括AlAs。