[实用新型]一种石墨纽扣有效
申请号: | 201420065034.4 | 申请日: | 2014-02-13 |
公开(公告)号: | CN203741413U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 王德幸;曾繁中;吴长亮;李振 | 申请(专利权)人: | 茂迪(苏州)新能源有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 纽扣 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种镀膜过程中使用的石墨纽扣,特别是涉及一种在太阳能电池的制作工艺中真空镀膜设备所使用的石墨纽扣。
背景技术
在太阳能电池的制作工艺中,通常需要采用薄膜沉积工艺进行硅片(wafer)的镀膜,例如,常使用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)镀一层减反射膜以达到提升效率的目的。目前使用的PECVD设备中,有板式PECVD和管式PECVD两种,其中尤以管式PECVD最为常见。
管式PECVD需要使用到石墨舟来装载硅片。在进行硅片表面镀膜时,将未镀膜的硅片装载在石墨舟上,然后,将载有硅片的石墨舟放置在PECVD真空镀膜设备腔体内,采用PECVD工艺在晶圆上镀膜。在石墨舟上装载晶圆时,会用到很多石墨纽扣(pin),主要是用来固定硅片和增加石墨板对硅片的导电性,以达到零号的镀膜的作用。硅片与石墨纽扣的接触部位在镀膜时会受到石墨纽扣的遮挡,因此石墨纽扣的形状决定了太阳能电池片的外观状况,而且石墨纽扣的使用寿命也会影响到太阳能电池的生产成本。
现有技术中石墨纽扣的结构如图1所示,包括上卡板3A、上连接柱2A、安装柱1A、下连接柱4A、下卡板5A,所述上卡板3A和下卡板5A均为一字型;上卡板3A与安装柱1A之间以及下卡板5A与安装柱1A至之间分别形成卡持晶片的第一卡槽6A和第二卡槽7A。PECVD工艺前需将硅片固定在卡槽中,由于石墨纽扣弧形的上卡板和下卡板的遮挡,镀膜后,硅片8A上会有一个较大的半圆形的纽扣痕迹,如图2所示,形成镀膜死角,使硅片8A表面存在色差,进而影响硅片转化率和表面质量。并且在石墨纽扣使用过程中,由于周而复始的取、装片会使卡槽槽底变深,一字型石墨纽扣在使用150次就需要更换,造成的磨痕深度达到约为1mm;若不更换,遮蔽面积将会越来越大,硅片8A镀膜质量将无法保证。
因此,提供一种改进的石墨纽扣实属必要。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种石墨纽扣,用于解决现有技术中采用石墨纽扣镀膜后的晶片遮蔽面积大、颜色不均匀、不方便取放且寿命短的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种石墨纽扣,所述石墨纽扣至少包括:一安装柱、一上卡板、一上连接柱、一下连接柱、以及一下卡板;
其中,所述安装柱具有一上表面和与所述上表面相对的下表面;
所述安装柱的上表面与所述上连接柱连接;所述上连接柱表面与上卡板连接;
所述安装柱的下表面与所述下连接柱连接;所述下连接柱表面与下卡板连接;
所述上卡板与下卡板均为十字形;
所述上卡板与所述安装柱形成第一卡槽,所述第一卡槽的间距范围为0.16~0.23mm。
所述下卡板与所述安装柱形成第二卡槽,所述第二卡槽的间距范围为0.16~0.23mm。
作为本实用新型的石墨纽扣的一种优化的结构,所述十字形上卡板与下卡板的宽度均为W,W的范围为2.01~2.55mm。
作为本实用新型的石墨纽扣的一种优化的结构,所述上连接柱和上卡板的厚度之和范围为1.2~1.26mm。
作为本实用新型的石墨纽扣的一种优化的结构,所述下连接柱和下卡板的厚度之和范围为1.2~1.26mm。
作为本实用新型的石墨纽扣的一种优化的结构,所述石墨纽扣关于所述安装柱对称。
作为本实用新型的石墨纽扣的一种优化的结构,所述安装柱为圆柱形。
作为本实用新型的石墨纽扣的一种优化的结构,所述上连接柱和下连接柱均为圆柱形。
作为本实用新型的石墨纽扣的一种优化的结构,所述上连接柱和下连接柱的直径均小于所述安装柱的直径。
作为本实用新型的石墨纽扣的一种优化的结构,所述上卡板与下卡板在所述安装柱上的投影不超出所述安装柱的外部轮廓。
如上所述,本实用新型的石墨纽扣,具有以下有益效果:
将现有技术石墨纽扣的一字型设计改为十字型设计,可增加纽扣的使用寿命,现有设计一字型使用150次就会有1mm的凹痕,本实用新型提供的石墨纽扣可使用至少200次。
现有设计中上下卡板的宽度为3mm,而本实用新型提供的石墨纽扣的十字型上卡板和下卡板的宽度减小至2.01~2.55mm,缩小了15%~33%,用以减少镀膜后硅片表面的遮蔽面积,缩小纽扣痕迹,使硅片边缘镀膜更加均匀。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的