[实用新型]一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置有效
| 申请号： | 201420066579.7 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN203807592U | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 杨秀凡;张殿喜;兰洵;周士芸;闫万珺;陈召松;杨丽;邓永荣;周鹏 | 申请（专利权）人： | 安顺学院 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 561000 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铸锭 多晶 晶体生长 测量 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置，包括铸锭炉（1）及设置于铸锭炉（1）上的测量部件（2），其特征在于：所述测量部件（2）由固定支架（21）及安装在固定支架（21）上的长晶棒（22）组成，所述长晶棒（22）包括测量部分（221）及操作读数部分（222），且操作读数部分（222）设置为花纹状结构。
2.根据权利要求1所述的一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置，其特征在于：所述固定支架（21）包括安装板（211）及固定在安装板（211）上的支撑立柱（212），在支撑立柱（212）上端固定有横杆（213），在横杆（213）末端设置有固定环（214）。
3.根据权利要求1所述的一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置，其特征在于：所述操作读数部分（222）设置有刻度。
4.根据权利要求1所述的一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置，其特征在于：所述操作读数部分（222）的直径大于测量部分（221）的直径。
5.根据权利要求2所述的一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置，其特征在于：所述固定环（214）上设置有与长晶棒（22）直径相匹配的固定孔（2141）。
6.根据权利要求2所述的一种铸锭多晶硅晶体生长测量装置，其特征在于：所述安装板（211）设置有安装孔（2111）。
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