[实用新型]一种带锁存的故障检测电路有效
申请号: | 201420066891.6 | 申请日: | 2014-02-14 |
公开(公告)号: | CN203761353U | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 张林;孙辉 | 申请(专利权)人: | 联合汽车电子有限公司 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22;H03K19/0175 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 殷晓雪 |
地址: | 201206 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带锁存 故障 检测 电路 | ||
技术领域
本申请涉及一种故障检测电路。
背景技术
故障检测电路用于判断输入信号是否在正常范围内,如果是,则表明输入信号正常,输出第一状态;如果否,则表明输入信号发生了故障,输出第二状态。通过将故障检测电路的输出信号连接到保护电路、报警电路等即可在故障发生时执行后续操作。
最简单的一种故障检测电路就是比较器,输入信号和参考信号作为比较器的两个比较对象。例如,正常情况下输入信号小于或等于参考信号,此时比较器输出低电平。一旦发生故障而使得输入信号大于参考信号,此时比较器就输出高电平。
某些故障检测电路具有锁存功能,即某一时刻输入信号发生故障,则该故障检测电路从该时刻起始终输出表征故障状态的信号,即使后一时刻该故障已经解除。直至有解锁信号输入该故障检测电路,其才改为输出表征正常状态的信号。目前的故障检测电路为实现锁存功能,一般采用触发器,例如D触发器、RS触发器等。
授权公告号CN202353177U、授权公告日2012年7月25日的实用新型专利公开了一种过压保护电路,由分压电路、比较触发电路、看门狗电路、锁存电路、硬件输出保护电路组成。其中的锁存电路是由两个与非门组成的RS触发锁存电路。
授权公告号CN202444242U、授权公告日2012年9月19日的实用新型专利公开了一种过流保护电路,由过流锁存电路、模块保护逻辑电路、与门关断电路组成。其中的过流锁存电路包括由两个与非门所组成的RS锁存器(其文字介绍为与门,但图片显示为与非门符号)。
实用新型内容
本申请所要解决的技术问题是提供一种带锁存的故障检测电路。
为解决上述技术问题,本申请带锁存的故障检测电路为:输入信号连接到比较器的正输入端,参考电压通过电阻连接到比较器的负输入端,比较器输出状态判定信号;或者,输入信号通过电阻连接到比较器的负输入端,参考电压通过电阻连接到比较器的正输入端,比较器输出状态判定信号;
三极管一为NPN型,其基极通过电阻连接比较器的输出端,集电极连接比较器的负输入端,发射极接地;
三极管二也为NPN型,其基极通过电阻接收解锁信号,集电极连接三极管一的基极,发射极接地;
所述状态判定信号为高电平时将三极管一导通;
所述解锁信号为高电平脉冲信号,其为高电平时将三极管二导通。
进一步地,当输入信号连接到比较器的正输入端,参考电压通过电阻连接到比较器的负输入端时,在比较器的正输入端之前新增了电阻一、电阻二、电阻三;这三个电阻的一端均连接比较器的正输入端,电阻一的另一端用于接收输入信号,电阻二的另一端始终输入低电平,电阻三的另一端接地;
当输入信号通过电阻连接到比较器的负输入端,参考电压通过电阻连接到比较器的正输入端时,在比较器的正输入端之前新增了电阻一、电阻二、电阻三;这三个电阻的一端均连接比较器的负输入端,电阻一的另一端用于接收输入信号,电阻二的另一端始终为高阻态,电阻三的另一端接地;
或者,当输入信号通过电阻连接到比较器的负输入端,参考电压通过电阻连接到比较器的正输入端时,在比较器的正输入端之前新增了电阻一、电阻二、电阻三、电阻九、三极管四;电阻九连接三极管四的基极,三极管四的集电极连接电阻一、电阻二、电阻三的一端,三极管四的发射极接地;电阻九的另一端始终输入低电平;电阻一的另一端用于接收输入信号,电阻二的另一端连接比较器的负输入端,电阻三的另一端接地。
进一步地,当输入信号连接到比较器的正输入端,参考电压通过电阻连接到比较器的负输入端时,在比较器的正输入端和地之间还增加了用于滤波的电容;
当输入信号通过电阻连接到比较器的负输入端,参考电压通过电阻连接到比较器的正输入端时,在比较器的负输入端和地之间还增加了用于滤波的电容。
进一步地,在三极管二的集电极和地之间增加了用于滤波的电容。
进一步地,在比较器的输出端之后新增了RC滤波电路,用于滤除状态判别信号中的抖动后再输出。
进一步地,在比较器的输出端之后新增了串联的RC滤波电路和三极管三;
三极管三也是NPN型,其基极连接RC滤波电路,集电极输出滤波后的状态判别信号,发射极接地。
进一步地,部分或全部的NPN型三极管改为NMOS晶体管;NPN型三级管的基极、集电极、发射极分别改为NMOS晶体管的栅极、源极、漏极。
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