[实用新型]MOSFET功率器件的终端结构

权利要求书

1.一种MOSFET功率器件的终端结构，其特征在于，包括：

形成于N+掺杂的半导体衬底上的N-外延层，所述N-外延层包括主动区和终端区，所述终端区环绕在所述主动区周侧；

在所述主动区中形成有P阱，在所述P阱中形成有由N+区组成的源区，由所述P阱和所述N-外延层形成的PN结组成主结；在所述P阱上方形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述P阱之间隔离有栅介质层，所述多晶硅栅的一侧和所述源区对准、所述多晶硅栅的另一侧延伸到所述N-外延层上方；

在所述终端区中形成有终端结构，所述终端结构包括多晶硅场板、第一金属场板、第二金属场板、一个以上沟槽场环和一个沟槽截止环；

所述多晶硅场板由所述多晶硅栅从所述主动区向所述终端区方向延伸的多晶硅组成，所述多晶硅场板和所述N-外延层之间隔离有第一介质层，所述第一介质层的厚度大于所述栅介质层的厚度；

所述沟槽截止环形成于所述终端区的最外侧；

在所述第一介质层表面形成有第二介质层，所述第一金属场板和所述第二金属场板形成于所述第二介质层表面；在横向上所述第一金属场板和所述第二金属场板相隔一段距离，所述第一金属场板位于所述终端区的靠近所述P阱的一侧、所述第二金属场板位于所述终端区的靠近所述沟槽截止环的一侧；

在横向上各所述沟槽场环位于所述沟槽截止环和所述P阱之间。

2.如权利要求1所述的MOSFET功率器件的终端结构，其特征在于：所述沟槽截止环的深度大于所述沟槽截止环所在位置处的耗尽层的深度。

3.如权利要求1所述的MOSFET功率器件的终端结构，其特征在于：所述第一金属场板和形成于所述源区的电极相连接。

4.如权利要求3所述的MOSFET功率器件的终端结构，其特征在于：所述第一金属场板从顶部将所述多晶硅场板完全覆盖、且所述第一金属场板所覆盖区域的面积大于等于所述多晶硅场板的区域面积。

5.如权利要求1或4所述的MOSFET功率器件的终端结构，其特征在于：所述栅介质层组成材料为氧化层；所述第一介质层组成材料为氧化层；所述第二介质层组成材料为氧化层。

6.如权利要求1或2所述的MOSFET功率器件的终端结构，其特征在于：所述沟槽截止环的沟槽的侧面和底部表面都覆盖有氧化层，在侧面和底部表面覆盖有氧化层的所述沟槽中填充由多晶硅；各所述沟槽场环的沟槽的侧面和底部表面都覆盖有氧化层，在侧面和底部表面覆盖有氧化层的所述沟槽中填充由多晶硅。

7.如权利要求6所述的MOSFET功率器件的终端结构，其特征在于：所述第二金属场板和所述沟槽截止环的沟槽中填充的多晶硅接触。

8.如权利要求1所述的MOSFET功率器件的终端结构，其特征在于：MOSFET功率器件的耐压为200V以上。

9.如权利要求1所述的MOSFET功率器件的终端结构，其特征在于：N+掺杂的所述半导体衬底为MOSFET功率器件的漏区，由形成所述半导体衬底背面的背面金属形成漏极。

10.如权利要求1所述的MOSFET功率器件的终端结构，其特征在于：所述沟槽场环的数量为三个，在横向上各所述沟槽场环位于所述第一金属场板和所述第二金属场板之间的区域且不被所述第一金属场板和所述第二金属场板所覆盖。