[实用新型]一种局域加热的硅片抛光装置有效
| 申请号： | 201420067363.2 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN203882956U | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 季根华;刘锋;李翔 | 申请（专利权）人： | 苏州旭环光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 局域 加热 硅片 抛光 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种局域加热的硅片抛光装置，所述装置包括滚轮（1）、加热灯管（2）、反射罩（3）、硅片探测器（4）及槽体（5），所述加热灯管（2）、所述反射罩（3）及所述硅片探测器（4）均位于所述槽体（5）上方，所述反射罩（3）位于所述加热灯管（2）正上方；其特征在于，加热方式为局域加热。
2.如权利要求1所述的局域加热的硅片抛光装置，其特征在于：所述加热灯管（2）使用非接触方式对硅片（7）进行加热。
3.如权利要求1所述的局域加热的硅片抛光装置，其特征在于：在所述加热灯管（2）的前端和后端至少各有一个硅片探测器（4）。
4.如权利要求1所述的局域加热的硅片抛光装置，其特征在于：所述槽体（5）的材质为聚丙烯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚氯乙烯或不锈钢。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州旭环光伏科技有限公司，未经苏州旭环光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420067363.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型引线抓取装置
- 下一篇：过电流熔断装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
