[实用新型]一种监测晶圆键合质量的测试结构有效
| 申请号： | 201420070211.8 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN203707089U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郑超;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 监测 晶圆键合 质量 测试 结构 | ||
1.一种监测晶圆键合质量的测试结构，其特征在于，所述监测晶圆键合质量的测试结构至少包括：
正面设有第一金属线的第一晶圆；
正面设有与所述第一金属线交叉的第二金属线的第二晶圆；
所述第一、第二晶圆的正面彼此键合，使得所述第一金属线和第二金属线接触；
所述第二晶圆背面设有穿过其正面并分别接触于所述第一、第二金属线两端的焊垫。
2.根据权利要求1所述的监测晶圆键合质量的测试结构，其特征在于：所述第一、第二金属线的材质包括铜或铝。
3.根据权利要求1所述的监测晶圆键合质量的测试结构，其特征在于：所述第一金属线与所述第二金属线交叉形成夹角，所述夹角大于0度且小于180度。
4.根据权利要求3所述的监测晶圆键合质量的测试结构，其特征在于：所述夹角为90度。
5.根据权利要求1所述的监测晶圆键合质量的测试结构，其特征在于：所述焊垫的材质包括铜或铝。
6.根据权利要求1或2所述的监测晶圆键合质量的测试结构，其特征在于：所述第一、第二金属线的长度为10微米至20微米。
7.根据权利要求6所述的监测晶圆键合质量的测试结构，其特征在于：所述第一、第二金属线的长度相等。
8.根据权利要求1所述的监测晶圆键合质量的测试结构，其特征在于：所述第一、第二金属线的宽度为1微米至5微米。
9.根据权利要求1所述的监测晶圆键合质量的测试结构，其特征在于：所述焊垫的形状相同。
10.根据权利要求1或9所述的监测晶圆键合质量的测试结构，其特征在于：所述焊垫的形状为边长为5微米至10微米的正方形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
