[实用新型]发光二极管封装体有效
申请号: | 201420075500.7 | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN203707181U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 蔡培崧;时军朋;梁兴华;赵志伟;徐宸科 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/64;H01L33/62 |
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地址: | 361009 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种封装结构,特别涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管(英文为Light Emitting Diode,简称LED)是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有环保、亮度高、功耗低、寿命长、工作电压低、易集成化等优点,是继白炽灯、荧光灯和高强度放电(英文缩写为HID)灯(如高压钠灯和金卤灯)之后的第四代新光源。
现有的LED封装体所使用的支架都比芯片大得多(2倍以上),导致所用的荧光粉和封装胶的用料也相应增加,同时发出的光与荧光粉散射后,被封装体吸收的量也增加。因此现有的LED不利于缩小封装体的尺寸的应用,成本高,光效差,有必要做进一步改进。
发明内容
本实用新型提供了一种发光二极管封装体,其缩小封装体尺寸的同时,具有良好的散热功能。
发光二极管封装体,包括:基板,具有正、反两个平整的表面,至少由两金属块和绝缘部构成,其中金属块镶嵌于绝缘部并露出部分上、下表面,且各个金属块之间具有电性绝缘区;发光二极管芯片,位于所述基板的金属块之上,并与所述其中至少两金属块形成电性连接;封装胶,覆盖在所述发光二极管芯片的表面上,同时覆盖部分基板;所述金属块具有突出连接部,其延伸至基板的边缘。
优选地,所述基板具有两金属块,同时用于导电和散热,每个金属块至少包括三个突出连接部。在一些实施例中,所述两金属块呈轴对称。
优选地,所述金属块至少具有一个突出连接部与所述金属块呈倾斜角。在一些实施例中,所述两金属块呈180°旋转对称。
优选地,所述各金属块之间的电性绝缘区呈“I”字型或“工”字型。
优选地,所述各金属块之间的电性绝缘区呈S型或反S型。
优选地,所述金属块与绝缘部在垂直方向上构成卡扣。
优选地,在所述基板中,按垂直方向将所述金属块划分为上、下部,其中上部为所述基板的正面,下部为所述基板的反面,所述上、下部的形状不一样。在一些实施例中,所述金属块上部的某些部位横向突出于下部,且所述金属块下部的某些部位横向突出于上部。在一些实施例中,所述突出连接部位于所述金属块的上部或下部。
优选地,所述封装胶的厚度为0.2~5mm。在一些实施例中,所述封装胶的厚度为0.2~3mm;在一些实施例中,为了扩大封装体的出光角度,增加封装胶的厚度,其较佳厚度为0.5~5mm;在一些实施例中,为了进一步扩大封装体的出光角度,所述封装胶的出光面一侧具有弧形。
优选地,所述发光二极管封装体还包括波长转换装置,其可为直接在封装胶内掺入荧光粉或直接在发光二极管芯片表面/封装胶表面设置波长转换材料层。
本实用新型至少具有以下有益效果:1)所述基板的上、下表面均为平整面,发光二极管芯片直接位于所述基板的金属块上,通过金属块同时导电和散热,可以有效改善封装体的散热性能;2)在所述基板中,金属块镶嵌于绝缘部中,各金属块的上、下部形状不一样,从而与绝缘部形成卡扣结构,从而提高了封装体的牢固性;3)由于所述基板表面是完整的平面,无支架(如碗杯)侧壁阻挡出光,因此本实用新型的封装体具有更广的发光角,更高的出光光效;4)由于无需碗杯,使用材料更少,封装体所需成本更低,使产品更具性价比。
前述发光二极管封装体可应用于各种显示系统、照明系统、汽车尾灯等领域。
本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。此外,附图数据是描述概要,不是按比例绘制。
图1为本实用新型之实施例1所述发光二极管封装体的剖面图。
图2为图1所示发光二极管封装体之基板的正面图案。
图3为图1所示发光二极管封装体之基板的背面图案。
图4显示了实施例1所述发光二极管封装体的一种变形。
图5为本实用新型之实施例2所述发光二极管封装体的基板的背面图案。
图6为本实用新型之实施例2所述发光二极管封装体的剖面图。
图7~图8显示了实施例2所述发光二极管封装体的两种变形。
图中各标号表示如下:
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